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amb陶瓷基板是活性钎焊工艺陶瓷基板,具有高热导率、耐高温、较低的热膨胀系数、高的机械强度、耐腐蚀以及绝缘性好、抗辐射的优点。在电子器件封装中得到广泛应用,适应半导体器件不断走向大功率,小型化,集成化和多功能方面前进。
AMB技术是在DBC(直接覆铜法)技术的基础上发展而来的。相比于传统的DBC基板,采用AMB工艺制备的陶瓷基板,不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力,而且还有热阻更小、可靠性更高等优势。
根据陶瓷材质的不同,目前成熟应用的AMB陶瓷基板可分为:氧化铝、氮化铝和氮化硅基板。
氧化铝amb陶瓷基板 考虑到导热系数不高,散热能力有限,但是成本较低,一般用于功率要求不高,可靠性一般的产品领域;
氮化铝AMB基板导热系数高,散热能力强,人循环次数高,可靠性强,结合力强,使用寿命时间长,从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低,氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限,从而限制了其应用范围。
对于对高可靠性、散热以及局部放电有要求的汽车、风力涡轮机、牵引系统和高压直流传动装置等来说,AMB氮化硅基板可谓其首选的基板材料。此外,载流能力较高,而且传热性也非常好。主要是因为氮化硅陶瓷的热膨胀系数(2.4ppm/K)较小,与硅芯片(4ppm/K)接近;AMB氮化硅基板具有较高的热导率(>90W/mK)。AMB-Si3N4基板结合的机械性能具有优异的耐高温性能、散热特性和超高的功率密度。
随着电力电子技术的高速发展,高铁上的大功率器件控制模块对IGBT模块封装的关键材料——陶瓷覆铜板形成巨大需求,尤其是AMB基板逐渐成为主流应用,此外在交通轨道、电力电网、光伏系统等领域应用广泛。更多amb陶瓷基板相关应用等可以咨询金瑞欣特种电路。
通过公司研发团队的不懈努力,现已成功研发微小孔板、高精密板、难度板、微型化板、围坝板等,具备DPC、DBC、HTCC、LTCC等多种陶瓷生产技术,以便为更多需求的客户服务,开拓列广泛的市场。
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