氮化硅陶瓷基板金属化

氮化硅陶瓷基板机械性能非常好，硬度强，耐磨损，导热系数在85w~90w，在一些需要较强硬度和导热性的产品领域被备受欢迎。比如汽车减振器的载板、交通轨道，IGTB载板、第三代半导体等。既能作为载板起到散热很支持的作用，又能实现线路层互连，起到良好的电气性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金属化工艺。

一，什么是氮化硅陶瓷基板金属化

      氮化硅陶瓷基板金属化，是在陶瓷基表面覆铜、或者做其他金属。目前最常见的就是覆铜。氮化硅陶瓷基板金属化后，通过线路、金属孔等可以实现层级互连作用。

二，氮化硅陶瓷基板金属化技术-AMB工艺

      氮化硅陶瓷基板金属化技术多采用AMB工艺，AMB技术是指，在800℃左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术。AMB陶瓷基板，一般是这样制作的：首先通过丝网印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上活性金属焊料，再与无氧铜层装夹，在真空钎焊炉中进行高温焊接，然后刻蚀出图形制作电路，最后再对表面图形进行化学镀。

三，氮化硅陶瓷基板AMB工艺与其他工艺的区别

       相比于传统的DBC基板，采用AMB工艺制备的陶瓷基板，不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势。AMB氮化硅陶瓷覆铜基板，线路铜层较厚，导热率较高、热循环好、适合大功率和大温变的器件产品。

         以上是小编阐述的关于，氮化硅陶瓷基板金属化工艺以及AMB工艺的特点，氮化硅陶瓷基板金属化后电气性能更好。AMB工艺不仅适用在氮化硅陶瓷基、还适应于氮化铝陶瓷基板以及增韧氧化铝陶瓷基板覆铜，铜层结合力都非常好。更多氮化硅陶瓷基板金属化相关可以咨询金瑞欣特种电路。