氮化硅陶瓷基板为何受欢迎                     

      氮化硅基板在半导体领域应用非常多，核心是可以帮助半导体器件更好的散热。另外由于经常面临颠簸、震动等复杂的力学环境，基板材料也需一定的力学可靠性，氮化硅陶瓷基板各方面性能较平衡，是综合性能最好的结构陶瓷材料。今天小编要分享的是氮化硅陶瓷基板为何受欢迎？

氮化硅陶瓷基板具备哪些优势？

氮化硅（Si₃N₄），核心元素是氮元素和硅元素，有着及其广泛的应用。

进入智能化信息时代后，对电力电子器件还要求能够对电能进行变换和控制，由此便大大提升了器件的电控和功率转换性能要求与运行功耗，相应的，普通的基板已无法满足降低复杂功率器件热阻、控制运行温度、保障可靠性的高要求，必须更换性能更优的基板，新型功率陶瓷基板便应运而生。

 以下就是氮化硅陶瓷基板的优势特点：

 良好的绝缘性和抗电击穿能力；

高的导热率：导热性直接影响半导体期间的运行状况和使用寿命，散热性差导致的温度场分布不均匀也会使电子器件噪声大大增加；

热膨胀系数与封装内其他其他所用材料匹配；

良好的高频特性：即低的介电常数和低的介质损耗；

表面光滑，厚度一致：便于在基片表面印刷电路，并确保印刷电路的厚度均匀。

氮化硅陶瓷基板和氧化铝、氮化铝陶瓷基板的区别？

氮化硅陶瓷。它的高导热系数、高电流载荷，比较容易满足第三代功率半导体器件的散热需求，同时热膨胀系数与大多数半导体材料匹配，电气性能与机械性能也有不错的水平。

氧化铝虽然导热性能较差，无法跟上大功率半导体的发展趋势，但其制造工艺成熟，成本低，在中低端领域仍有很大的需求量。氮化铝的导热性能最好，与半导体材料有良好的匹配，可应用于高端产业，只是力学性能较差，影响半导体器件寿命，使用成本较高。氮化硅在综合性能方面表现最优，但入门门槛很高，目前国内很多科研单位和企业都在研究，但技术难度大，加工成本高，且市场较小，还未出现大规模应用的契机，这也是许多企业还在观望，未下定决心加大投入的原因。

氮化硅陶瓷基板已然适应了第三代半导体行业的需求。

适应第三代半导体，如氮化镓、碳化硅等性能要求的大功率陶瓷基板材料中，综合下来最有前途的材料就是：氮化硅陶瓷。它的高导热系数、高电流载荷，比较容易满足第三代功率半导体器件的散热需求，同时热膨胀系数与大多数半导体材料匹配，电气性能与机械性能也有不错的水平。

综合得出，氮化硅陶瓷基板要和第三代大功率半导体器件进行配套，是一个比较复杂的系统工程，不仅需要大规模资金的配合还要进行综合技术的整合。更多陶瓷基板的详情可以咨询金瑞欣特种电路。