高导热氮化铝陶瓷基板三大金属化工艺

高导热氮化铝陶瓷基板金属化后具备更好的电气性能，可以通电和导电、散热，同时具备很好的绝缘性和较低的热膨胀系数、低的介质损耗等。那么高导热氮化铝陶瓷基板金属化工艺是哪些工艺可以实现？

一，DPC工艺

DPC亦称为直接镀铜基板，首先将陶瓷基板做前处理清洁，利用薄膜专业制造技术－真空镀膜方式于陶瓷基板上溅镀结合于铜金属复合层，接着以黄光微影之光阻被覆曝光、显影、蚀刻、去膜工艺完成线路制作，最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度，待光阻移除后即完成金属化线路制作。

    二，DBC工艺

        DBC陶瓷基板是陶瓷板制作工艺中按工艺属性分来的陶瓷电路板，DBC就直接覆铜，是一种陶瓷表面金属化技术，它直接将陶瓷（三氧化二铝、氧化铍、AIN等）和基板铜相接。

二，AMB工艺

AMB也叫活性金属钎焊（Active Metal Bonding，AMB）覆铜技术，顾名思义，

依靠活性金属钎料实现氮化铝与无氧铜的高温冶金结合，以结合强度高、冷热循环可靠性好等优点而备受关注，应用前景极为广阔。但同时也应该看到，AMB工艺的可靠性很大程度上取决于活性钎料成分、钎焊工艺、钎焊层组织结构等诸多关键因素，工艺难度大，而且还要兼顾成本方面的考虑。依据目前的市场调研结果来看，氮化铝陶瓷AMB覆铜板国内相关研发机构（生产企业）与国外竞争对手存在较大的技术差距。

      氮化铝陶瓷基板可以根据客户的要求做DPC、DBC、AMB工艺，不同工艺特性不同，更多氮化铝陶瓷基板金属化的疑问可以咨询金瑞欣特种电路。