当前位置:首页 » 常见问题 » 功率半导体器件使用陶瓷基板的原理
我们常见的半导体器有电子电力器件如果二极管、晶匣管、混合型器件IGBT电极等都是属于电力电子器件,是用来进行功率处理的,是具有处理高电压,大电流能力的半导体器件。那现在半导体器件多用陶瓷基板来做散热器件,其中的原理和原因是什么呢?
半导体器件在处理高电压、大电流的时候,电压处理范围从几十V~几千V,电流能力最高可达几千A。典型的功率处理,包括变频、变压、变流、功率管理等等。那么就需要比较高的载流能力。无论是电子电力器件,还是功率MOSFET器件还是多功能新型混合器件,大多数情况下都被作为开关使用(switch)。简单的说,就是用来控制电流的。通过和截断。 那么,一个理想的开关,应该具有两个基本的特性:
l 电流通过的时候,这个理想开关两端的电压降是零
l 电流截断的时候,这个理想开关两端可以承受的电压可以是任意大小,也就是0~无穷大。意味着需要更好的载流能力和散热能力和绝缘能力的器件起到电流通过和截断的目的。
因此,功率半导体器件的研究和发展,就是围绕着这个目标不断前进的。现在的功率半导体器件,已经具有很好的性能了,在要求的电压电流处理范围内,可以接近一个比较理想的开关。这个开关需要具备很强的承载大电流的作用、同时具备很好的绝缘性能。那么陶瓷电路板散热能力强,能有效的承载更大的电流,陶瓷基板本身绝缘,本身就很好的绝缘材料。
陶瓷基板散热能力很强,导热率在15w~260W,氧化铝陶瓷基板导热率一般在30~50w,氮化铝陶瓷基板导热率在170w以上,可想而知,可以很好的解决因大电流产生的散热问题。
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