铝碳化硅基板与氮化硅基板的区别

铝碳化硅基板在轨道机车、飞机、半导体IGBT器件等产品领域被应用，主要是因为铝基碳化硅基板具备导热率高、热膨胀系数与芯片更匹配，重量轻、密度小、高硬度和高抗弯强度。那么铝碳化硅基板和氮化硅基板有什么区别呢？

一，铝碳化硅基板的和氮化硅基板的特点和优势

铝基碳化硅基板铝碳化硅（AlSiC）是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称，又称碳化硅铝或铝硅碳。被应用到军工行业领域，有着非常重要的突出优势。

1，AlSiC具有高导热率（170～200W/mK），是一般封装材料的十倍，可将芯片产生的热量及时散发，提高整个元器件的可靠性和稳定性

2，AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配，可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6/K）能够防止疲劳失效的产生，甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC底板上。

3，铝碳化硅基板重量轻，硬度强，抗弯强度高、抗震效果好。在恶劣环境下的首选材料。

铝基碳化硅基板与氮化硅基板对比

可见铝基碳化硅基板热导率更高、硬度更高、热膨胀系数与芯片更接近，密度更小，重量更轻。也因此他们的应用有所不同。

氮化硅陶瓷基板机械强度高、耐磨损、良好的导热性主要应用航天航空、汽车发动机、汽车减震器、机械医疗设备，工业窑炉和智能电子设备、高功率模块等领域有着广泛的用途；铝碳化硅则轨道机车、飞机、半导体IGBT器件等产品领域被应用，还在军工方面有较好的应用。

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