当前位置:首页 » 常见问题 » 七大方面解析氮化铝陶瓷基板的分类和特性
氮化铝陶瓷基板在大功率器件模组,航天航空等领域备受欢迎,那么氮化铝陶瓷基板都有哪些种分类以及氮化铝陶瓷基板特性都体现在哪些方面?
氮化铝陶瓷基板是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷基板,也叫氮化铝陶瓷基片。热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是大功率集成电路和散热功能的重要器件。
1,按电镀要求来分
氮化铝陶瓷覆铜基板 (氮化铝覆铜陶瓷基板),旨在氮化铝陶瓷基板上面做电镀铜,有做双面覆铜和单面覆铜的。
2,按应用领域分
LED氮化铝陶瓷基板(氮化铝led陶瓷基板),主要用于LED大功率灯珠模块,极大的
提高了散热性能。
igbt氮化铝陶瓷基板,一般用于通信高频领域。
3,按工艺来分
氮化铝陶瓷基板cob(氮化铝陶瓷cob基板),主要用于Led倒装方面。
dpc氮化铝陶瓷基板,采用DPC薄膜制作工艺,一般精密较高。
dpc氮化铝陶瓷基板(AlN氮化铝dbc陶瓷覆铜基板),是一种厚膜工艺,一般可以实现大批量生产。
氮化铝陶瓷基板 承烧板
3,按地域分
有的客户对特定的氮化铝陶瓷基板希望是特定地域的陶瓷基板生产厂家,因此有了:
日本氮化铝陶瓷基板
氮化铝陶瓷基板台湾
氮化铝陶瓷基板成都
福建氮化铝陶瓷基板
东莞氮化铝陶瓷基板
台湾氮化铝陶瓷散热基板
氮化铝陶瓷基板珠海
氮化铝陶瓷基板上海
4,导热能力来分
高导热氮化铝陶瓷基板 ,导热系数一般较高,一般厚度较薄,一般导热大于等于170W的。氮化铝陶瓷散热基板,比氧化铝陶瓷基板散热好,大于等于50W~170W.
材料而言:陶瓷基板pcb是陶瓷材料因其热导率高、化学稳定性好、热稳定性和熔点高等优点,很适合做成电路板应用于电子领域。许多特殊领域如高温、腐蚀性环境、震动频率高等上面都能适应。氮化铝陶瓷基板,热导率高,膨胀系数低,强度高,耐高温,耐化学腐蚀,电阻率高,介电损耗小,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。硬度较高,交工难度大,压合非常难,一般加工成单双面面陶瓷基板pcb.
氮化铝陶瓷基板的产品规格尺寸厚度,有不同 的尺寸对应不同个的厚度,具体如下:
氮化铝陶瓷基板尺寸一般最大在140mm*190mm,氮化铝陶瓷基板厚度一般在0.20mm~3.0mm之间。另外氮化铝陶瓷基板脆性较高,容易碎,因为是陶瓷基的因素,因此不能像FR4玻纤板一样可以随意放置,氮化铝陶瓷基板需要轻拿轻放。
氮化铝陶瓷基板介电常数一般是8~10MHz,氮化铝陶瓷基板热导率一般170w/(m.k)或者更高,氮化铝陶瓷基板抗折强度大于等于450MPa,氮化铝陶瓷基板表面粗糙度可以控制在0.2~0.6um,氮化铝陶瓷基板热膨胀系数在2~4.5之间,氮化铝陶瓷基板的硬度也很高,可击穿强度大于等于25 Kv/mm。
相信您对氮化铝陶瓷基板的优势和特点也是比较了解了,金瑞欣特种电路采用的都是品牌的氮化铝基板,目前采用日本丸和氮化铝陶瓷基板,此外还有用的九毫、华清、 中瓷的氮化铝陶瓷基板。日本丸和氮化铝陶瓷基板性能指标非常好,被很多客户认可,有的客户甚至还指定需要用到丸和氮化铝陶瓷基板。
日本丸和氮化铝产品具有优异的热传导性、高绝缘性和接近于硅的热膨胀率等特点,作为新一代的高导热材料,越来越受到人们的关注和重视。其特性如下:
l 导热性:约为氧化铝的7倍
l 热膨胀系数:与硅类似,大型硅贴片的安装和耐热循环可靠性高
l 电气特性:较高电气绝缘,较低介电常数
l 机械特性:比氧化铝的机械强度高
l 耐腐蚀性:比熔融金属的耐腐蚀性强
l 纯度:杂质含量非常小,无毒,纯度高
氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板,都具备高导热性,高绝缘性,耐腐蚀性的特点,不同的氮化铝陶瓷基板的导热更好,导热高的可以到170W以上,氧化铝陶瓷基板导热在30~50W左右。氮化铝陶瓷基板的强度更强,加工难度相对而言也会较大一些。另外就是氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷板材的利用因应用市场需求不同而采用不同的陶瓷基板,就价格而言,氮化铝陶瓷基板的价格比氧化铝陶瓷基板的价格更贵一些。
l 氮化铝和氮化硅陶瓷基板区别
氮化硅陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板散热性能都很好,氮化铝陶瓷基板是时下比较广泛应用的基材,氮化硅陶瓷基板是未来行业发展的趋势产品,更多氮化硅陶瓷基板的内容请关注文章“GBT高导热氮化铝氮化硅陶瓷基板等高端陶瓷pcb的应用和现状”
l 铝基板与氮化铝陶瓷基板的区别?
在陶瓷基板成熟广泛应用之前,很多企业比如LED照明多采用铝基板来散热,陶瓷基板的导热系数在50~190W,氮化铝的理论热导率300W/m.K,其中三氧化二铝陶瓷电路板的导热系数:通常为30.0 W/m-K,但实际是随着温度而变化,具体列在下方:
6.30 W/m-K@Temperature 800 °C
13.0 W/m-K@Temperature 527 °C
18.9 W/m-K@Temperature 327 °C
24.2 W/m-K@Temperature 227 °C
32.3 W/m-K@Temperature 127 °C
46.0 W/m-K@Temperature 25.0 °C
82.0 W/m-K@Temperature -73.0 °C
105 W/m-K@Temperature 727 °C
449.8 W/m-K@Temperature -173 °C
更多关注散热问题请关注文章“大功率LED封装用陶瓷基板还是铝基板更好”
l 氮化铝陶瓷基板金属化
陶瓷基板金属化是在陶瓷表面牢固地粘附一层金属薄膜,使之实现陶瓷和金属间的焊接,现有钼锰法、镀金法、镀铜法、镀锡法、镀镍法、LAP法(激光后金属镀)等多种陶瓷金属化工艺。
更多氮化铝陶瓷基板金属化问题见文章详情“五个问题解答全面认知陶瓷基板金属化”
l 氮化铝陶瓷基板金属化国家标准
氮化铝陶瓷基板金属化标准就是镀层与基体的结合力要高,金属附着力要好。
主要几个测试,包括板厚、尺寸规格、纯度、导热性、强度、介电常数、膨胀系数、表面粗糙度等的测试,符合市场所需的标准需求。 通过以上七个大方面的详细阐述,氮化铝陶瓷基板的分类,性能参数,优势,特点有了非常深入的了解,更多氮化铝陶瓷基板问题可以咨询金瑞欣特种电路。金瑞欣特种电路专业的氮化铝陶瓷基板厂家,十年多行业经验,值得信赖!
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