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氮化铝陶瓷基板amb工艺优势

氮化铝陶瓷基板amb

       氮化铝陶瓷陶瓷amb工艺备受关注,工艺相对更加先进,被广泛应用轨道交通、大功率电力半导体模块、高频开关、风力发电,新能源汽车、动力机车、航空航天等领域。今天小编就来分享一下:什么是氮化铝陶瓷基板AMB工艺以及优势。

什么是amb氮化铝覆铜陶瓷基板?

氮化铝覆铜陶瓷基板是使用AMB(Active Metal Brazing)技术将铜箔钎焊到陶瓷表面的一种散热基础材料。相比于传统的DBC基板,使用AMB工艺制得的氮化铝覆铜陶瓷基板不仅具有更高的热导率、铜层结合强度高等特点,而且其热膨胀系数与硅接近,可应用于高电压操作且没有局部放电现象。以下是氮化铝陶瓷基板 amb的技术参数:


氮化铝陶瓷基板amb技术参数 

关于覆铜陶瓷基板AMB工艺介绍:

 AMB (Active Metal Bonding,AMB|)的简称,就是活性金属钎焊覆铜技术,顾名思义,依靠活性金属钎料实现氮化铝与无氧铜的高温冶金结合,以结合强度高、冷热循环可靠性好等优点而备受关注,应用前景极为广阔。但同时也应该看到,AMB工艺的可靠性很大程度上取决于活性钎料成分、钎焊工艺、钎焊层组织结构等诸多关键因素,工艺难度大,而且还要兼顾成本方面的考虑。依据目前的市场调研结果来看,氮化铝AMB覆铜板国内相关研发机构(生产企业)与国外竞争对手存在较大的技术差距。

IGBT陶瓷基板.JPG

氮化铝陶瓷覆铜板是IGBT模块领域的核心重要部件

氮化铝陶瓷覆铜板是IGBT模块的重要组成部件,其具有陶瓷的高导热、高绝缘、高机械强度、低膨胀等特性,又兼具无氧铜的高导电性和优异焊接性能,且能像PCB线路板一样刻蚀出各种图形。已成为新一代半导体(SiC)和新型大功率电力电子器件的首选封装材料。

金瑞欣特种特种电路是专业的陶瓷基板生产厂家,主营氧化铝陶瓷基板和氮化铝陶瓷基板,陶瓷基板领域有深入的专研,氮化铝陶瓷基板amb工艺,导热更高,铜的结合更好。目前普通在使用的DPC工艺,DBC工艺以及高温烧结我们目前也非常熟练。更多amb陶瓷基板的问题可以咨询金瑞欣特种电路。

 


深圳市金瑞欣特种电路技术有限公司

金瑞欣——专业的陶瓷电路板制造商

通过公司研发团队的不懈努力,现已成功研发微小孔板、高精密板、难度板、微型化板、围坝板等,具备DPC、DBC、HTCC、LTCC等多种陶瓷生产技术,以便为更多需求的客户服务,开拓列广泛的市场。

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