碳化硅基和AlN基覆铜板差异

 特斯拉在 电驱主逆变器采用的是意法半导体供应的650V SiC MOSFET器件，这在2018是风向标实践。SiC基板有什么优势和AIN基覆铜板有什么差异？

 一，碳化硅基覆铜板的优越性以及与AIN基覆铜板的特性对比

 碳化硅SiC是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。

碳化硅SiC相对AIN基覆铜板的优异特性：如图对比

 碳化硅的禁带宽度大约为 3.2eV，硅的宽带宽度为 1.12eV，碳化硅的禁带宽度大约为硅的3倍数，这说明碳化硅的耐高压性能显著好于硅材料。此外，导热率为硅的4-5倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。这些特性将使得碳化硅特别适于制造耐高温、耐高压，耐大电流的高频大功率的器件。

 与AIN基相比，碳化硅热导率是3.6,AIN基是2.85，碳化硅基击穿场强度3，AIN基是1.4，由此可见，碳化硅基能耐高压、热导率更好。

       二，碳化硅基覆铜板与AIN基板的应用特点对比

 在 SiC 器件的产业链中，主要价值量集中于上游碳化硅衬底，约占比 50%左右。碳化硅衬底根据电阻率划分：半绝缘型碳化硅衬底和导电型碳化硅衬底。半绝缘型碳化硅衬底主要用于制造氮化镓微波射频器件，导电型碳化硅衬底广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通等领域。

      碳化硅基覆铜板耐高压性、耐高温更强，新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通重点应用，AIN基覆铜板则应用更加广泛一些，在导热性要求较高、绝缘性要求高的领域被广泛应用。比如，LED、制冷片、电源、医疗、汽车电子、传感器等产品领域应用。

特斯拉采用碳化硅陶瓷基板做成的陶瓷衬底，最后做成了碳化硅模组后应用到逆变器，使得整车的能耗更低、尺寸更小、行驶里程更长，受到消费市场的认可，一定程度上缓解里程焦虑问题。据市调机构Yole的报告指出，碳化硅晶圆到2023年时市场规模可达15亿美金，年复合成长率逾31%;预计至2025年全球SiC功率器件市场规模为25.6亿美元，2019-2025年CAGR为30%。

未来碳化硅陶瓷基板的应用也会不断增加。更多陶瓷基覆铜板相关问题可以咨询金瑞欣特种电路，金瑞欣有着三年多陶瓷电路板制作经验，十多年行业经验积累，目前陶瓷基板电路板制作技术非常成熟，主营氧化铝陶瓷基、氮化铝陶瓷基、氮化硅陶瓷基，包括碳化硅陶瓷基板以及氧化锆陶瓷基板等都可以制作加工，欢迎咨询。