铜基板 陶瓷基板都是具有电气性能的电路板，都使用在高频和高温产品领域，但是陶瓷基板 铜基板有什么区别呢？
1、有无绝缘层的区别
陶瓷基板是无机材料，铜基板是金属基板，铜基板 陶瓷基板虽然都具备高导热性，但是铜基板需要再做绝缘层，制作绝缘层不仅成本高，且绝缘效果不及陶瓷基板。陶瓷基板本身是无机材料，也是绝缘介质，且具有非常好的绝缘性能，陶瓷基板加工就无需再做绝缘层。
2、导热性高低的区别
铜基板的导热性在金属基板里是比较好的，导热效果比铝基板和铁基板都好很多，但是导热系数也就3W~5W,陶瓷基板导热系数比较高，氧化铝陶瓷基板导热系数30w,氮化铝陶瓷基板导热系数170w以上，氮化硅陶瓷基板导热系数也有85w~90w，导热能力远不及陶瓷基板。
第一代半导体以硅、锗材料为代表，主要应用在数据运算领域，奠定了微电子产业基础。第二代半导体以砷化镓、磷化铟为代表，主要应用于通信领域，用于制作高性能微波、毫米波及发光器件，奠定了信息产业基础。随着技术发展和应用需要的不断延伸，二者的局限性逐渐体现出来，难以满足高频、高温、高功率、高能效、耐恶劣环境以及轻便小型化等使用需求。以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料具有禁带宽度大、临界击穿电压高、热导率高、载流子饱和漂移速度大等特点，其制作的电子器件可在300°C甚至更高温度下稳定工作 (又称为功率半导体或高温半导体)，是固态光源 (如LED)、激光器 (LD)、电力电子 (如 IGBT)、聚焦光伏 (CPV)、微波射频 (RF) 等器件的“核芯”，在半导体照明、汽车电子、新一代移动通信 (5G)、新能源与新能源汽车、高速轨道交通、消费类电子等领域具有广阔的应用前景，有望突破传统半导体技术瓶颈，与第一代、第二代半导体技术互补，在光电器件、电力电子、汽车电子、 航空航天、深井钻探等领域具有重要应用价值，对节能减排、产业转型升级、催生新经济增长点将发挥重要作用。
伴随着功率器件 (包括LED、LD、IGBT、CPV等) 不断发展，散热成为影响器件性能与可靠性的关键技术。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30% ~ 50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展功率器件的技术瓶颈。以大功率LED封装为例，由于输入功率的70% ~ 80% 转变成为热量 (只有约20% ~ 30% 转化为光能)，且LED芯片面积小，器件功率密度很大 (大于100 W/cm2)，因此散热成为大功率LED封装必须解决的关键问题。如果不能及时将芯片发热导出并消散，大量热量将聚集在LED内部，芯片结温将逐步升高，一 方面使LED性能降低 (如发光效率降低、波长红移等)，另一方面将在LED器件内部产生热应力， 引发一系列可靠性问题 (如使用寿命、色温变化等)。目前常用电子封装基板主要可分为高分子基板、金属基板 (金属核线路板，MCPCB) 和陶瓷基板几类。对于功率器件封装而言，封装基板除具备基本的布线 (电互连) 功能外，还要求具有较高 的导热、耐热、绝缘、强度与热匹配性能。因此，高分子基板 (如PCB) 和金属基板 (如MCPCB) 使用受到很大限制；而陶瓷材料本身具有热导率高、耐热性好、高绝缘、高强度、与芯片材料热匹配 等性能，非常适合作为功率器件封装基板，目前已在半导体照明、激光与光通信、航空航天、汽车电子、深海钻探等领域得到广泛应用。鉴于陶瓷具有良好的导热性、耐热性、高绝缘、高强度、低热胀、耐腐蚀和抗辐射等优点，陶 瓷基板在功率器件和高温电子器件封装中得到广泛应用。目前，陶瓷基片材料主要有Al2O3、AlN、Si3N4、SiC、BeO和BN。由于Al2O3和AlN具有较好的综合性能，两者分别在低端和高端陶瓷基板市场占据主流，而Si3N4基板由于抗弯强度高，今后有望在高功率、大温变电力电子器件 (如IGBT) 封装领域发挥重要作用。 平面陶瓷基板主要包括薄膜陶瓷基板 (TFC)、厚膜印刷陶瓷基板 (TPC)、直接键合陶瓷基板 (DBC)、活性金属焊接陶瓷基板 (AMB)、直接电镀陶瓷基板 (DPC) 和激光活化金属陶瓷基板 (LAM) 等。其中，TFC基板图形精度高，但金属层较薄，主要应用于小电流光电器件封装；TPC基板耐热性好，成本低，但线路层精度差，主要应用于汽车传感器等领域；DBC和AMB基板线路层较厚， 耐热性较好，主要应用于高功率、大温变的IGBT封装；DPC基板具有图形精度高、可垂直互连等优点，主要应用于大功率LED封装；而LAM基板则满足了航空航天领域异型陶瓷结构件散热需求。 为了实现器件气密封装，业界开发了多种三维陶瓷基板制备技术，主要包括高温/低温共烧陶瓷基板 (HTCC/LTCC)、多层烧结三维陶瓷基板 (MSC)、直接粘结三维陶瓷基板 (DAC)、多层镀铜三维陶瓷基板 (MPC) 和直接成型三维陶瓷基板 (DMC) 等。其中，HTCC/LTCC、MSC基板均采用丝网印刷与高温烧结工艺制备，腔体可靠性高，但金属线路层精度较差；MPC、DAC和DMC基板通 过在DPC基板上电镀、粘接和固化成型围坝，具有金属线路层精度高，围坝与基板结合强度高等优点，有望在今后的功率器件气密封装、三维封装与集成领域发挥重要作用。后期陶瓷基板将主要沿 着高精度、小型化、集成化方向发展。
