氧化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板都是导热性能较好的基材，在集成电路、散热半导体、交通轨道灯领域发挥重要的作用。那么氧化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板有哪些区别呢?

一，氮化硅陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板的导热率和膨胀系数不同

 1，导热率：氧化铝的导热率差不多在30 W/(m·K)左右，大于25W/(m·K).氮化硅的导热率80W/(m·K)左右.

    2， 热膨胀系数：氧化铝陶瓷电路板的导热系数和氮化硅陶瓷电路板有所不同。

导热率和热膨胀系数是最直接体现电路板性能的参数，氧化铝陶瓷基板的热膨胀系数是6.8~7.8（10-6/K），氮化硅的热膨胀系数是2.6~3.1（10-6/K）。

二．氧化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板导热率相当，氮化硅陶瓷基板机械强度更强

1，导热性能不同，氧化铝陶瓷基板具有很高的导热率30w;氮化硅陶瓷基板的导热率一般75-80W/(m·K）.

2，机械强度不同，氮化硅陶瓷基板具有比氧化铝陶瓷更高的强度。其中氧化铝陶瓷基板的抗压强度是310~400mpa，96氧化铝陶瓷抗弯强度是38Mpa，99氧化铝陶瓷抗弯强度400Mpa.而氮化硅陶瓷基板的抗弯强度是800mpa。可见氮化硅的机械强度更强，在需要抗弯强度的领域还是会优先使用到氮化硅陶瓷基板的。

目前市场陶瓷基板的种类还是以氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板为主导，氮化硅陶瓷基板等其它陶瓷基板则相对而言使用率不是特别高，在一些特定的行业需要用到。金瑞欣是一家以氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板为主导的陶瓷基板加工生产厂家，可以加工精密线路、实铜填空、围坝工艺等。更多详情可以咨询金瑞欣特种电路。

以下是“氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板的不同”