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[行业动态]高压大功率IGBT模块首选封装材料——AMB陶瓷基板

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管的基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，大规模应用于电动汽车、电力机车里的电机驱动以及并网技术、储能电站、工业领域的高压大电流场合的交直流电转换和变频控制等领域，是电力电子领域中最重要的大功率器件，是绿色经济的核“芯”。

2024-03-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[常见问题]不同材质的陶瓷基板分别适用哪些抛光工艺？

目前，已投入生产的陶瓷基板主要有氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化铍(BeO)和氮化铝(AlN)等。陶瓷基板的硬度高、脆性大、容易产生裂纹、表面加工难度大。因此，对于陶瓷基板表面的加工要求更加严格，一般采用研磨抛光以去除基板表面的附着物、改善平整度、降低表面粗糙度，提高尺寸精度和表面质量，满足薄型化的要求。不同陶瓷材质的性能和结构存在差异，选择合适的抛光技术才能起到事半功倍的处理效果。

2024-01-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/butongcaizhidetaocij.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-11-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行业动态]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工艺技术

首先了解陶瓷基板与陶瓷基片的区别，特性优势，陶瓷基板制造五大工艺知识，以及工艺特点进行分析，行业展望，最后我们学习一下华科大对陶瓷基板科研知识案例分享

2023-11-06 http://www.jinruixinpcb.com/Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行业动态]陶瓷基板的市场规模和应用发展

目前，国内常用陶瓷基板材料主要为Al2O3、AlN和Si3N4。无论哪种材料的陶瓷基板，在烧结成型之后，需对其表面实施金属化，然后通过影像转移的方法完成表面图形的制作，以实现陶瓷基板的电气连接性能。金属化陶瓷基板按照工艺主要分为DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化铝陶瓷基板主要采用DBC、DPC工艺，氮化铝陶瓷基板主要采用DBC和AMB工艺，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工艺

2023-10-27 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanpcb.html
[行业动态]陶瓷基板市场预计未来3年大增94.27%，国产化需求强烈

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

2023-10-09 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanshichangyu.html
[行业动态]陶瓷基板的市场到底有多大？十亿？百亿？

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

2023-10-06 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibansc.html
[行业动态]电子封装陶瓷基片材料的种类

现代微电子技术发展异常迅速，电子系统及设备向大规模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向发展。电子系统集成度的提高将导致功率密度升高，以及电子元件和系统整体工作产生的热量增加，因此，有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题。电子封装基片材料作为一种底座电子元件，主要为电子元器件及其相互联线提供机械承载支撑、气密性保护和促进电气设备的散热。

2023-10-04 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijipiandezhonglei.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-08-28 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行业动态]陶瓷基板助力高功率器件散热消暑

电路板被很多人誉为电子产品之母，它是计算机、手机等消费电子产品的关键部件，在医疗、航空、新能源、汽车等行业有着广泛应用。纵观全球技术发展简史，每一次技术进步都直接或间接影响着全人类。在电路板诞生之前，电子设备都包含许多电线，它们不仅会纠缠在一起，占用大量空间，而且短路的情况也不罕见。这个问题对于电路相关的工作人员来说是个非常头疼的问题。1925年，来自美国的Charles Ducas提出了一个前所未有的想法，即在绝缘基板上印刷电路图案，随后进行电镀以制造用于布线的导体，专业术语“PCB”由此而来，这种方法使制造电器电路变得更为简单。

2023-08-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行业动态]2023年AMB陶瓷基板实力企业榜单

近几年来，在新能源汽车市场暴增刺激下，碳化硅模块上车的进程大幅超过市场预期，AMB陶瓷基板优异导热和抗弯性能已经成为SiC芯片最佳封装材料。根据市场研究机构的数据显示，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模从2016年的约10亿美元增长到2020年的约15亿美元，年复合增长率为7.5%左右。预计到2025年，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模将达到约20亿美元，年复合增长率为5.5%左右。

2023-07-24 http://www.jinruixinpcb.com/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行业动态]陶瓷基板的市场到底有多大？

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

2023-07-10 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibandeshichang.html
[行业动态]AMB/DBC陶瓷基板超声SAM检测

2022年全球陶瓷基板市场销售额达到了375亿美元，预计2029年将达到2,563亿美元，年复合增长率（CAGR）为26.0%。从产品类型方面来看，氮化硅陶瓷基板处于主导地位，2022年份额将达到90%。就应用来看，汽车行业在2022年份额大约是69%，在众多的AMB/DBC陶瓷基板相关的上下游企业中，AMB/DBC陶瓷基板的本身质量检测都是极为重要的一环，本文就陶瓷基板内部缺陷问题超声SAM检测展开讨论。

2023-05-22 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBDBCtaocijibanchao.html
[行业动态]大功率IGBT功率模块用氮化铝覆铜基板

随着高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等行业发展，对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。

2023-04-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常见问题]铜基板和陶瓷基板有什么区别呢？

铜基板陶瓷基板都是具有电气性能的电路板，都使用在高频和高温产品领域，但是陶瓷基板铜基板有什么区别呢...

2023-04-07 http://www.jinruixinpcb.com/Article/tongjibantaocijibany.html
[行业动态]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，AMB Si3N4陶瓷基板备受瞩目。1、Si3N4 为何要用AMB工艺目前功率半导体器件所用的陶瓷基板多为DBC（Direct Bond Copper，直接覆铜）工艺，Al2O3与ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技术与铜接合：将无氧铜经热氧化或化学氧化制程于表面产生一Cu2O层，于1065~

2023-03-22 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行业动态]制备高导热氮化硅陶瓷基板的影响因素浅析

氮化硅在综合性能方面表现最优，这无疑是一种非常理想的散热性能良好的基板材料。目前国内市场上，氧化铝和氮化铝陶瓷基片已经实现产业化，但高导热氮化硅陶瓷作为商用电子器件的基板材料仍是一大难题，只有国外的一些公司可以实现氮化硅陶瓷基板商业化，那到底是什么因素阻碍了这么优秀的的陶瓷基板发展呢？这就得从氮化硅独特的化学成分和微观结构说起。晶格氧对高导热氮化硅陶瓷的影响氮化硅的主要传热机制是晶格振动，通过声子来传导热量。晶格振动并非是线性的，晶格间有着一定的耦合作用，声子间会发生碰撞，使声子的平均自由程减小。另外，Si3N4晶体中的各种缺陷、杂质以及晶粒界面都会引起声子的散射，也等效于声子平均自由程减小，从而降低热导率。▲氮化硅烧结体的典型微观结构研究表明，在诸多晶格缺陷中，晶格氧是影响氮化硅陶瓷热导率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://www.jinruixinpcb.com/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行业动态]AMB陶瓷基板在IGBT上的应用介绍

根据封装结构和应用要求，陶瓷基板可分为平面陶瓷基板和三维陶瓷基板两大类。再根据实现陶瓷基板覆铜后再刻蚀的不同工艺，当前较普遍的陶瓷散热基板分为 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工艺因可靠性更优，逐渐成为主流应用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工艺，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工艺，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工艺

2023-03-08 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行业动态]氮化硅AMB基板：新能源汽车SiC功率模块的首选工艺

Si3N4-AMB陶瓷基板热导率高于90W/mk，厚铜层具有较高热容量以及传热性，同时AMB工艺可将厚铜金属(800μm)焊接到相对较薄的氮化硅陶瓷上，形成高载流能力；

2023-02-27 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguiAMBjibanxin.html
[行业动态]高导热氮化硅陶瓷基板产业化进展

要有效解决器件的散热问题，必须选择高导热的基板材料。近年来已经大规模生产的应用较为广泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaociban.html

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