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[行业动态]银铜钛 (AgCuTi) 为何在IGBT上应用

随着我国新能源汽车、高铁、城市轨道交通以及智能电网的高速发展，对高压大功率IGBT模块的需求日益增长。相较于其他应用领域，车规级 IGBT模块对产品安全、可靠性提出耐高温、散热性优、工作温度范围广、使用寿命长等更高要求。据报道，约70%的IGBT模块失效归因于散热不良引起的键合线剥离或熔断。芯片的散热主要通过IGBT模块中的陶瓷基板来实现，其作用是吸收芯片的产热并传导至热沉上，从而实现芯片与外界之间的热交换。阅读本文前，欢迎识别二维码加入艾邦IGBT/SiC产业链交流群。

2024-03-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行业动态]高导热率氮化硅散热陶瓷基板材料的研究进展

摘要：针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题，主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述，最后总结了高热导率氮化硅作为散热基板材料的发展趋势。引言随着我国高铁、航天、军工等领域的快速发展，未来对大功率电力电子器件的需求也将越来越大。为了适应更加复杂、苛刻的应用条件，大功率电力电子器件朝着高温、高频、低功耗以及智能化、模块化、系统化方向发展，这对整个电子器件的散热提出了严峻的挑战，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片产生的热量，并传到热沉上，实现与外界的热交换，所以制备高热导率基板材料成为研发大功率模块电子产品的关键所在。例如目前大功率 LED 的发光效率仅有

2022-12-09 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[行业动态]高导热率碳化硅陶瓷五大烧结方法

目前，氮化硅陶瓷的烧结方法主要有反应烧结法（RS）、热压烧结法（HPS）、常压烧结发（PLS）和气压烧结法（GPS）等。1反应烧结法制备氮化硅最早的使用方法。先将硅粉和粘结剂通过干压、等静压方法成型后，再在1200-1500°C温度条件下氮化烧结得到氮化硅陶瓷。反应烧结法具有烧结前后线收缩率低、成本低的优点，但也有致密度小，力学性能差的缺点。适合制造形状复杂，尺寸精确的零件。在实验中按名义组成Si3N4>80wt.%，（Y2O3+La2O3）<20wt.%加入Si粉和La2O3粉进行混合成型。然后在1200-1500°C下反应烧结，并将反应烧结的初置于气压烧结炉内，在1-9MPa压力和1900°C的条件下保温三小时，制备了氮化硅陶瓷。并检验了其热导率，在1000°C时热导率为19.43W/（m.k

2022-12-07 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaodaorelvtanhuaguit.html
[行业动态]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被广泛使用的直接覆铜(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通过共晶键合法制备而成，铜和陶瓷之间没有粘结材料，在高温服役过程中，往往会因为铜和陶瓷(Al2O3或AlN)之间的热膨胀系数不同而产生较大的热应力，从而导致铜层从陶瓷表面剥离，因此传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html

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