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[行业动态]高压大功率IGBT模块首选封装材料——AMB陶瓷基板

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管的基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，大规模应用于电动汽车、电力机车里的电机驱动以及并网技术、储能电站、工业领域的高压大电流场合的交直流电转换和变频控制等领域，是电力电子领域中最重要的大功率器件，是绿色经济的核“芯”。

2024-03-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行业动态]陶瓷基板助力高功率器件散热消暑

电路板被很多人誉为电子产品之母，它是计算机、手机等消费电子产品的关键部件，在医疗、航空、新能源、汽车等行业有着广泛应用。纵观全球技术发展简史，每一次技术进步都直接或间接影响着全人类。在电路板诞生之前，电子设备都包含许多电线，它们不仅会纠缠在一起，占用大量空间，而且短路的情况也不罕见。这个问题对于电路相关的工作人员来说是个非常头疼的问题。1925年，来自美国的Charles Ducas提出了一个前所未有的想法，即在绝缘基板上印刷电路图案，随后进行电镀以制造用于布线的导体，专业术语“PCB”由此而来，这种方法使制造电器电路变得更为简单。

2023-08-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanzhuligaogo.html
[行业动态]陶瓷基板—过去与未来!

电路板被很多人誉为电子产品之母，它是计算机、手机等消费电子产品的关键部件，在医疗、航空、新能源、汽车等行业有着广泛应用。纵观发展简史，每一次技术进步都直接或间接影响着全人类。在电路板诞生之前，电子设备都包含许多电线，它们不仅会纠缠在一起，占用大量空间，而且短路的情况也不罕见。这个问题对于电路相关的工作人员来说是个非常头疼的问题。

2023-07-12 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanguoquyuwei.html
[行业动态]制备高导热氮化硅陶瓷基板的影响因素浅析

氮化硅在综合性能方面表现最优，这无疑是一种非常理想的散热性能良好的基板材料。目前国内市场上，氧化铝和氮化铝陶瓷基片已经实现产业化，但高导热氮化硅陶瓷作为商用电子器件的基板材料仍是一大难题，只有国外的一些公司可以实现氮化硅陶瓷基板商业化，那到底是什么因素阻碍了这么优秀的的陶瓷基板发展呢？这就得从氮化硅独特的化学成分和微观结构说起。晶格氧对高导热氮化硅陶瓷的影响氮化硅的主要传热机制是晶格振动，通过声子来传导热量。晶格振动并非是线性的，晶格间有着一定的耦合作用，声子间会发生碰撞，使声子的平均自由程减小。另外，Si3N4晶体中的各种缺陷、杂质以及晶粒界面都会引起声子的散射，也等效于声子平均自由程减小，从而降低热导率。▲氮化硅烧结体的典型微观结构研究表明，在诸多晶格缺陷中，晶格氧是影响氮化硅陶瓷热导率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://www.jinruixinpcb.com/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行业动态]AMB陶瓷基板在IGBT上的应用介绍

根据封装结构和应用要求，陶瓷基板可分为平面陶瓷基板和三维陶瓷基板两大类。再根据实现陶瓷基板覆铜后再刻蚀的不同工艺，当前较普遍的陶瓷散热基板分为 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工艺因可靠性更优，逐渐成为主流应用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工艺，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工艺，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工艺

2023-03-08 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行业动态]高导热率氮化硅散热陶瓷基板材料的研究进展

摘要：针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题，主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述，最后总结了高热导率氮化硅作为散热基板材料的发展趋势。引言随着我国高铁、航天、军工等领域的快速发展，未来对大功率电力电子器件的需求也将越来越大。为了适应更加复杂、苛刻的应用条件，大功率电力电子器件朝着高温、高频、低功耗以及智能化、模块化、系统化方向发展，这对整个电子器件的散热提出了严峻的挑战，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片产生的热量，并传到热沉上，实现与外界的热交换，所以制备高热导率基板材料成为研发大功率模块电子产品的关键所在。例如目前大功率 LED 的发光效率仅有

2022-12-09 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[行业动态]高导热率碳化硅陶瓷五大烧结方法

目前，氮化硅陶瓷的烧结方法主要有反应烧结法（RS）、热压烧结法（HPS）、常压烧结发（PLS）和气压烧结法（GPS）等。1反应烧结法制备氮化硅最早的使用方法。先将硅粉和粘结剂通过干压、等静压方法成型后，再在1200-1500°C温度条件下氮化烧结得到氮化硅陶瓷。反应烧结法具有烧结前后线收缩率低、成本低的优点，但也有致密度小，力学性能差的缺点。适合制造形状复杂，尺寸精确的零件。在实验中按名义组成Si3N4>80wt.%，（Y2O3+La2O3）<20wt.%加入Si粉和La2O3粉进行混合成型。然后在1200-1500°C下反应烧结，并将反应烧结的初置于气压烧结炉内，在1-9MPa压力和1900°C的条件下保温三小时，制备了氮化硅陶瓷。并检验了其热导率，在1000°C时热导率为19.43W/（m.k

2022-12-07 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaodaorelvtanhuaguit.html
[行业动态]高导热率氧化硅陶瓷的影响因素（二）

高导热率氮化硅陶瓷是获得高导热率氮化硅散热基板的前提，而影响氮化硅陶瓷热导率的因素很多。例如，氮化硅陶瓷的致密度、相阻度、烧结时晶种的加入、晶格氧含量、晶粒的尺寸、形状排列方式等都对氮化硅陶瓷的赵得率有着巨大的影响。在制备氮化硅陶瓷中，反应物中的孔隙率为12%-25%了，而气体的热导率一般较低，故致密度越大，孔隙率越低，热导率越高。氮化硅具有α和β 两种晶体相，其中相中的氧含量高于β相中的氧含量，而氧杂质对声子具有散射的作用，因此氮化硅陶瓷中β/α的值越大，热导率越高。当烧结高热导率氮化硅陶瓷时，在 Si?N4原料中加入尺寸较大的β-Si?N4晶种，为 β-Si?N4。晶粒的结晶提供晶核，将晶界相逐渐排挤进入多晶交界处，从而提高热导率： Naoto , Hirosaki 等用β一Si?N4 作为原料，研究添加

2022-12-05 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaodaorelvyanghuagui.html
[常见问题]amb陶瓷基板用在什么地方

amb陶瓷基板用在什么地方 amb陶瓷基板是活性钎焊工艺陶瓷基板，具有高热导率、耐高温、较低的热膨胀系数、高的机械强度、耐腐蚀以及绝缘性好、抗辐射的优点。在电子器件封装中得到广泛应用，适应半导体器件不断走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前进。Amb技术的优势AMB技术是在DBC（直接覆铜法）技术的基础上发展而来的。相比于传统的DBC基板，采用AMB工艺制备的陶瓷基板，不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势。Amb陶瓷基板有哪些陶瓷材料根据陶瓷材质的不同，目前成熟应用的AMB陶瓷基板可分为：氧化铝、氮化铝和氮化硅基板。氧化铝amb陶瓷基板考虑到导热系数不高，散热能力有限，但是成本较低，一般用于

2022-07-16 http://www.jinruixinpcb.com/Article/ambtaocijibanyongzai.html
[行业动态]氮化硅陶瓷基板应力新的发展前景

氮化硅陶瓷基板应力新的发展前景最近几年，氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料在我国得到了大力发展，要使用第三代半导体材料生产出大功率半导体器件，如果没有功率集成电路陶瓷基板，半导体器件的散热效果将会大大降低、降低该器件的使用效果。陶瓷基板性能以及各类陶瓷基板性能参数对比：由于陶瓷基板具有延展性低和韧性低、耐高温；较高的气密性，可隔离水汽、氧气和灰尘等特点，被广泛应用到功率集成电路中。目前应用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有:氧化铍(BeO)、氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)和碳化硅(SiC)等。无论是高铁、新能源汽车、高端机床、风力、光伏逆变，还是高端手机、消费电子以及各种自动化设备都需要电子电力集成电路进行驱动，这是一个超千亿级的大市场。在这个超级大市场中，功

2022-03-21 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibany.html
[常见问题]氮化硅的双层钝化减反射膜比单层减反射膜对比效果

氮化硅的双层钝化减反射膜比单层减反射膜对比效果氮化硅陶瓷的应用随着技术需要越来越多，在交通轨道、电力、新能源汽车电子、光伏设备、功率半导体器件、太阳能电池等方面广泛应用。今天小编主要讲述氮化硅陶瓷在太阳电池制造的运用。氮化硅薄膜作为表面介质层在传统晶硅太阳电池制造中被广泛应用，它能够很好地钝化多晶硅片表面及体内的缺陷和减少入射光的反射。氮化硅膜层中硅的含量增高，折射率和消光系数均相应增高，随之氮化硅对光的吸收就会增强，所以高折射率、高消光系数的薄膜不适合作为减反膜；但是相应地增加硅的含量，表面钝化作用呈现增强趋势。为了兼顾氮化硅膜层的钝化和减反射效果，对于多晶太阳电池普遍采用双层氮化硅膜的减反射膜层，即先淀积一层高折射率的氮化硅可以更好地钝化太阳电池的表面，然后生长

2022-01-21 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguideshuangcen.html
[行业动态]氮化硅陶瓷基板材料发展走向普及化需要几步？

氮化硅陶瓷基板材料发展走向普及化需要几步？一，氮化硅陶瓷基板材料的研究背景：我国军工航天、高铁重工等领域的飞速发展，促使各项科技行业对大功率电子器件的需求逐步加大。为适应更为苛刻复杂的应用条件，大功率电子器件必须朝着耐高温、高频、低功耗及智能化、系统化、模块化的方向发展。延伸到功率器件的组成部件上来看，其中基板的作用就是吸收芯片产生的热量，并将热量传到热沉上，由此实现与外界的热交换。因此制备高热导率基板材料成为研发大功率模块电子产品的关键所在。大功率散热基板材料要求具有低成本、高电绝缘性、高稳定性、高导热性及与芯片匹配的热膨胀系数（CTE）、平整性和较高的强度等。为了满足这些要求，研究人员将目光投向了金属氧化物、陶瓷、聚合物以及复合材料等。被实

2022-01-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanc.html
[行业动态]AMB基板将成为大功率IGBT和第三代半导体模块封装核心需求

大功率IGBT和第三代半导体封装基板是用DBC基板好呢还是用AMB基板好，AMB基板具有更好导热性能的同时，热循环非常好，热阻小，可以成载更大电流和电压等。未来amb陶瓷基板将成为大功率IGTB和第三代半导体模块封装基板的“香饽饽”。

2022-01-06 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBjibanjiangchengwe.html
[常见问题]氮化硅陶瓷的特点以及结构特性

氮化硅陶瓷的特点和优势：高性能氮化硅陶瓷具有优异的耐高温、高强度、高绝缘、耐磨损与耐腐蚀等优良性能，子航天航空、轨道交通、电子、医药等高端装备制造领域广泛用于轴承滚动体、绝缘零部件、特种构件等，已经成为传统工业改造、新兴产业和高新技术中必不可少的重要材料。氮化硅陶瓷同时具有高抗热震性、高抗氧化性、无毒等特点，被认为是一种很有潜力的高速电路和大功率器件散热和封装材料。二，氮化硅陶瓷的结构特点氮化硅陶瓷具有以下结构特点：1，平均原子量小；2，原子键合强度高3，晶体结构较为简单，4，晶体非谐性振动低。居于以上结构特点，氮化硅陶瓷将会成为高热导率陶瓷家族的一员。1）原料的选择氮化硅具有两种晶型：α-SiN4、β

2021-04-27 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocidetedi.html
[常见问题]高导热氮化硅陶瓷基板导热率的现状和发展

风力发电、混合动力汽车、LED照明等领域以为环保的要求，电子器件中的散热基板提出了更高的要求，传统的陶瓷基板如AlN、Al2O3、BeO热导率和力学性能等也不是很完美，市场的发展需要自然会使得某一种产品成为发展趋势。

2021-04-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaodaoredanhuaguitao.html
[常见问题]AMB陶瓷基板的优势、可靠性及其应用

第三代半导体的崛起和发展推动了功率器件尤其是半导体器件不断走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前进，对封装基板性能提升起到了很大的促进作用。陶瓷基板也是陶瓷电路板在电子器件封装中得到广泛应用主要是缘于陶瓷基板具有高热导率、耐高温、较低的热膨胀系数、高的机械强度、耐腐蚀以及绝缘性好、抗辐射的优点。陶瓷基板工艺有很多种，除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外，还有目前备受关注的AMB（Active Metal Bonding）技术，即活性金属钎焊技术。一，什么是活性金属钎焊技术？AMB技术是指，在800℃左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术。AMB陶瓷基板，一般是这样制作的：首先通过丝网印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上

2021-02-26 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibandexingn.html
[常见问题]氮化硅陶瓷覆铜基板的可靠性决定了它的市场定位

氮化硅具有高热导率,低热阻,高抗弯强度,高断裂韧性,耐高温,耐磨损,耐腐蚀等一系列优异的物理特性,因此,其正逐渐成为宽禁带大功率半导体器件首选的基板材料.氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁,电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一。也正因此奠定了氮化硅覆铜陶瓷基板的可靠性和市场地位。 1，氮化硅陶瓷覆铜基板的制作工艺高性能氮化硅陶瓷粉体的特性对氮化硅陶瓷覆铜基板的成型，烧结以及最终的性能有很大的影响作用。目前氮化硅陶瓷覆铜基板只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展.采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎焊工艺获得了氮化硅陶瓷

2020-12-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocifutong.html
[常见问题]三大特种陶瓷覆铜板导热及应用

在军用功率器件和民用电力电子器件封装领域，需要能载大电流的器件。铜箔具有极高的载流能力和散热能力，适合用作大功率器件封装基板的导体。而特种陶瓷由于耐高压能力强，被用作封装基板的载体。氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷、氮化硅陶瓷是三大重要的陶瓷基板。

2020-04-30 http://www.jinruixinpcb.com/Article/sandatezhongtaocifut.html
[行业动态]氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的深度研究

电动汽车、电力机车、智能电网等领域需要实现电能转换和控制的绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子器件。氮化铝陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。本文采用直接覆铜工艺(DBC)和活性金属焊接工艺(AMB)制备了氮化铝陶瓷覆铜板，对比了两种工艺的异同点和制备的氮化铝陶瓷覆铜板的性能差异，并指出氮化硅陶瓷覆铜板有望在下一代功率模块上广泛应用。

2020-01-14 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaocijibanzd.html
[常见问题]陶瓷基板厂家分享氮化硅陶瓷及其与金属的结合技术

高性能氮化铝陶瓷具有优异的耐高温。高强度、高绝缘、耐磨损与耐腐蚀等优良性能，在航空航天、轨道交通、电子、医药等高端装备制造领域广泛用于轴承滚动体、绝缘零部件、特种结构件等，已经成为传统工业改造、新兴产业和高新技术中心不可少的重要材料。

2019-08-24 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanchangjiafe.html