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[行业动态]陶瓷基板的现状及发展浅析

陶瓷材料在电子工业中扮演着重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。在电子线路的设计和制造非常需要这些的性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。

2023-07-28 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibandexianzhua.html
[常见问题]氮化硅陶瓷基板金属化

氮化硅陶瓷基板金属化氮化硅陶瓷基板机械性能非常好，硬度强，耐磨损，导热系数在85w~90w，在一些需要较强硬度和导热性的产品领域被备受欢迎。比如汽车减振器的载板、交通轨道，IGTB载板、第三代半导体等。既能作为载板起到散热很支持的作用，又能实现线路层互连，起到良好的电气性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金属化工艺。一，什么是氮化硅陶瓷基板金属化氮化硅陶瓷基板金属化，是在陶瓷基表面覆铜、或者做其他金属。目前最常见的就是覆铜。氮化硅陶瓷基板金属化后，通过线路、金属孔等可以实现层级互连作用。二，氮化硅陶瓷基板金属化技术-AMB工艺氮化硅陶瓷基板金属化技术多采用AMB工艺，AMB技术是指，在800℃左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反

2022-10-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanj.html
[行业动态]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被广泛使用的直接覆铜(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通过共晶键合法制备而成，铜和陶瓷之间没有粘结材料，在高温服役过程中，往往会因为铜和陶瓷(Al2O3或AlN)之间的热膨胀系数不同而产生较大的热应力，从而导致铜层从陶瓷表面剥离，因此传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行业动态]氮化硅陶瓷基板为何会成为第三代半导体器件的优质封装材料

氮化硅陶瓷基板为何会成为第三代半导体器件的优质封装材料随着国家对半导体行业的大力支持，以及第三代半导体科技行业的快速发展，氮化硅陶瓷覆铜基板成为第三代半导体器优质的封装材料。今天小编就来分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些优势能被第三代半导体选择和应用。一，氮化硅陶瓷基板有着与其他陶瓷基板独特的优势陶瓷基板材料凭借其极好的耐高温、耐腐蚀、热导率高、机械强度高、热膨胀系数与芯片相匹配及不易劣化等特性成为大功率、高密度、高温及高频器件封装的首选。目前应用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年来，电子电力器件朝大功率、高频化、高密度、集成化等方向发展，对器件中陶瓷散热基板提出了更高要求。与AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[常见问题]先进陶瓷在新能源电动汽车上的应用举例

先进陶瓷在新能源电动汽车上的应用举例长时间的疫情反复、俄乌战争带来的地缘政治危机、全球货币放水、能源需求增长、国际石油生产组织成员国的限产措施推行等一系列原因造就了如今使得老百姓对当今油价望而却步。面对仿佛转眼就能突破十元大关的油价，曾经多数对新能源汽车持怀疑态度的用户也不得不承认，现如今的油价让新能源汽车的优势较油车性价比提升了不少。那先进陶瓷在电动汽车上如何应用的呢？可被应用于新能源汽车的先进陶瓷举例：（1）新能源汽车用陶瓷球：新能源汽车中，陶瓷轴承的应用成为一种趋势。新能源汽车对汽车轴承提出了更多新要求，首先电机轴承相比传统轴承转速高，需要密度更低、相对更耐磨的材料；同时由于电机的交变电流引起周围电磁场变化，需要更好的绝缘性减小轴承放电产生的电腐蚀；

2022-06-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/xianjintaocizaixinne.html
[常见问题]dpc覆铜陶瓷基板和amb活性金属钎焊载板的区别

dpc覆铜陶瓷基板和amb活性金属钎焊载板的区别amb活性金属钎焊载板通常是采用氮化铝陶瓷基或者氮化硅陶瓷基、碳化硅陶瓷基等材料，通过amb活性金属钎焊工艺在基材表面附上一层铜箔或者其他金属，使得其具备良好的导电导热性能。dpc覆铜陶瓷基板则采用是DPC工艺，今天小编就来分享一下dpc覆铜陶瓷基板和amb活性金属钎焊载板的区别。一，dpc覆铜陶瓷基板和amb金属基板工艺特点不同 dpc覆铜陶瓷基板材料通常是氧化铝陶瓷基、氮化铝陶瓷基制作，表面金属一般较薄，通常是35um，不超过100um，比较适合做精密线路；amb金属基板采用氮化铝陶瓷基或者氮化硅陶瓷基板来做，铜层可以做100um~800um,金属结合力强、热导率高，尤其是amb氮化硅陶瓷覆铜基板，具

2022-01-19 http://www.jinruixinpcb.com/Article/dpcfutongtaocijibanh.html
[行业动态]AMB陶瓷覆铜基板行业前景

AMB活性金属钎焊载板与传统的DCB覆铜陶瓷基板相比，具有更高的可靠性、更强的力学性能、更好的绝缘性能，与芯片良好匹配的热膨胀系数。已成为第三代半导体和新型高压大功率电力电子器件的首选封装材料，有广阔的应用前景。金瑞欣小编主要讲述AMB陶瓷覆铜基板行业前景和发展趋势。

2022-01-07 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocifutongjibanx.html
[行业动态]AMB基板将成为大功率IGBT和第三代半导体模块封装核心需求

大功率IGBT和第三代半导体封装基板是用DBC基板好呢还是用AMB基板好，AMB基板具有更好导热性能的同时，热循环非常好，热阻小，可以成载更大电流和电压等。未来amb陶瓷基板将成为大功率IGTB和第三代半导体模块封装基板的“香饽饽”。

2022-01-06 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBjibanjiangchengwe.html
[常见问题]AMB陶瓷覆铜基板剥离强度怎么样

AMB陶瓷覆铜基板经过活性钎焊工艺制作，铜层的附着力也叫结合力通常是用剥离强度来体现的。那么AMB陶瓷覆铜基板剥离强度是不是要比DBC陶瓷覆铜基板的要强，我们通过测试数据来看看AMB陶瓷覆铜基板的剥离强度数据。

2022-01-05 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocifutongjibanb.html
[常见问题]衡量AMB陶瓷基板可靠性测试-热循环次数

Amb陶瓷基板热循环性好、导热率高、金属层与陶瓷的结合力更强，和DBC陶瓷基板相比具备更好的结合力，尤其是热循环性能。陶瓷覆铜板的可靠性，可以表现为耐机械应力和热应力的能力，通常用热循环或热冲击测试来表征。今天小编就来分享一下AMB陶瓷基板的热循环是怎么样的，我们通过测热循环测试数据可以得出结论。

2022-01-04 http://www.jinruixinpcb.com/Article/hengliangAMBtaocijib.html
[常见问题]AMB陶瓷基板的优势、可靠性及其应用

第三代半导体的崛起和发展推动了功率器件尤其是半导体器件不断走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前进，对封装基板性能提升起到了很大的促进作用。陶瓷基板也是陶瓷电路板在电子器件封装中得到广泛应用主要是缘于陶瓷基板具有高热导率、耐高温、较低的热膨胀系数、高的机械强度、耐腐蚀以及绝缘性好、抗辐射的优点。陶瓷基板工艺有很多种，除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外，还有目前备受关注的AMB（Active Metal Bonding）技术，即活性金属钎焊技术。一，什么是活性金属钎焊技术？AMB技术是指，在800℃左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术。AMB陶瓷基板，一般是这样制作的：首先通过丝网印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上

2021-02-26 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibandexingn.html
[常见问题]氮化硅陶瓷基板的覆铜工艺--AMB

AMB氮化硅陶瓷覆铜基板表面都是有一层铜的，同时让氮化硅陶瓷基板有了更好的电气性能。氮化硅陶瓷基板具有更好的可靠性和稳定性，那么氮化硅陶瓷覆铜基板是采用AMB覆铜工艺具体是怎么制作的呢？有什么优势？1，氮化硅陶瓷覆铜基板制作工艺AMB具备哪些优势?氮化硅陶瓷覆铜AMB制作工艺的陶瓷基板又称为AMB氮化硅陶瓷基板，目前采用AMB工艺的是氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板。AMB氮化硅陶瓷覆铜基板，采用AMB工艺即为活性钎焊技术。活性金属钎焊（Active Metal Bonding，AMB）覆铜技术，顾名思义，依靠活性金属钎料实现氮化铝与无氧铜的高温冶金结合，以结合强度高、冷热循环可靠性好等优点而备受关注，应用前景极为广阔。

2020-12-19 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijiband.html
[常见问题]氮化硅陶瓷覆铜基板的可靠性决定了它的市场定位

氮化硅具有高热导率,低热阻,高抗弯强度,高断裂韧性,耐高温,耐磨损,耐腐蚀等一系列优异的物理特性,因此,其正逐渐成为宽禁带大功率半导体器件首选的基板材料.氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁,电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一。也正因此奠定了氮化硅覆铜陶瓷基板的可靠性和市场地位。 1，氮化硅陶瓷覆铜基板的制作工艺高性能氮化硅陶瓷粉体的特性对氮化硅陶瓷覆铜基板的成型，烧结以及最终的性能有很大的影响作用。目前氮化硅陶瓷覆铜基板只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展.采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎焊工艺获得了氮化硅陶瓷

2020-12-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocifutong.html
[常见问题]氮化硅陶瓷基板的新的需求和新增应用领域

氮化硅陶瓷基板的市场应用增加，氮化硅陶瓷基板在市场的需求应用在半导体尤其是第三代半导体领域，以及航天航空等方面应用增加，使得氮化硅陶瓷基板用途也越来越多，今天小编主要讲述一下氮化硅陶

2020-12-14 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijiband.html
[常见问题]氮化硅陶瓷基板特点、优势、分类和应用

氮化硅陶瓷基板随着轨道交通以及第三代半导体等领域的迅速发展，氮化硅陶瓷基板的市场也逐渐在增加，那么氮化硅陶瓷基板的特点有哪些？有什么分类，主要作用以及市场应用情况是怎么样的呢？今天小编为您娓娓道来：

2020-12-12 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibantd.html
[常见问题]国内做氮化硅陶瓷基板覆铜的厂家

氮化硅陶瓷覆铜基板是在氮化硅陶瓷基片的基材上通过技术手段把铜箔覆盖到表面，实现金属化后让氮化硅陶瓷基板具备更好的导热性能和电器性能。那么国内做的氮化硅的陶瓷基板覆铜的厂家有哪些呢？什么样的厂家生产的氮化硅陶瓷基板更好？氮化硅陶瓷基板的特性氮化硅陶瓷具有2.4倍于氧化铝和氮化铝的抗弯强度，因此具有比氮化铝和氧化铝高的多的可靠性，尤其是高强度可以实现其与厚铜基板的覆接，大幅提高基板的热性能。相对于氮化铝和氧化铝，氮化硅陶瓷覆铜板在电流承载能力、散热能力、力学性能、可靠性等方面均具有明显优势。氮化硅陶瓷在热导率方面不及氮化铝陶瓷基板，因此在提升导热方面成为关注的重点了。高导热陶瓷应具备以下条件：(1)平均原子量小;(2)原子键合强度高;(3)晶体结构较为简单;(4)晶格非谐性振动低。提高氮化硅陶瓷热导率的方法包括：(

2020-11-07 http://www.jinruixinpcb.com/Article/guoneizuodanhuaguita.html
[常见问题]三大特种陶瓷覆铜板导热及应用

在军用功率器件和民用电力电子器件封装领域，需要能载大电流的器件。铜箔具有极高的载流能力和散热能力，适合用作大功率器件封装基板的导体。而特种陶瓷由于耐高压能力强，被用作封装基板的载体。氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷、氮化硅陶瓷是三大重要的陶瓷基板。

2020-04-30 http://www.jinruixinpcb.com/Article/sandatezhongtaocifut.html
[行业动态]氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的深度研究

电动汽车、电力机车、智能电网等领域需要实现电能转换和控制的绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子器件。氮化铝陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。本文采用直接覆铜工艺(DBC)和活性金属焊接工艺(AMB)制备了氮化铝陶瓷覆铜板，对比了两种工艺的异同点和制备的氮化铝陶瓷覆铜板的性能差异，并指出氮化硅陶瓷覆铜板有望在下一代功率模块上广泛应用。

2020-01-14 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaocijibanzd.html
[常见问题]为何氮化铝陶瓷基板在IGBT模块领域应用广泛

IGBT就是绝缘栅双极晶体管，目前大规模应用于电动汽车、电力机车、智能电网等领域。氮化铝陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。今天小编就重点讲述一下氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的重要应用。

2019-12-19 http://www.jinruixinpcb.com/Article/weihedanhualvtaociji.html