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Si3N4-AMB陶瓷基板热导率高于90W/mk，厚铜层具有较高热容量以及传热性，同时AMB工艺可将厚铜金属(800μm)焊接到相对较薄的氮化硅陶瓷上，形成高载流能力；
2023-02-27 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguiAMBjibanxin.html
氮化硅AMB陶瓷基板的制备流程 氮化硅陶瓷基板能量损耗、更容易小型化、更耐高温高压的优势在新能源汽车方面备受欢迎，能起到提速、增加续航里程、汽车轻量化的目的；同时氮化硅AMB陶瓷基板还是SiC器件封装基板的首选，传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求，DBC基板和氮化硅器件，在高温过程中容易产生热应力，导致铜层剥离，采用氮化硅AMB陶瓷基板能够小避免。本文要阐述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特点以及制备流程。 一，氮化硅AMB陶瓷基板的特点Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶瓷板上。通过活性金属钎焊（AMB
2022-10-19 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
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