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[行业动态]AMB活性金属钎焊法，陶瓷与金属的完美结合

相比于传统的DBC基板，采用AMB工艺制备的陶瓷基板，不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势；此外，因其加工过程能在一次升温中完成，操作简便、时间周期短、封接性能好并且对陶瓷的适用范围广，所以该工艺在国内外发展较快，成为了电子器件中常用的一种方法。

2023-12-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-11-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行业动态]陶瓷基板用于电子封装的应用指南

在电子封装基板领域，有几种常见类型，每种都具有其独特的优点和局限性。塑料、金属和陶瓷基板是最常见的竞争者。然而，在这份全面指南中，我们将专注于陶瓷基板的卓越特性和优势。我们将探讨它们卓越的绝缘性能、低介电常数、低热膨胀系数、高热导率、出色的气密性和化学稳定性。陶瓷基板非常适用于高可靠性、高频率、高温抗性和气密性产品封装，特别是在航空航天、军事和其他对要求严格的行业中。

2023-10-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanyongyudian.html
[行业动态]陶瓷基板的市场到底有多大？十亿？百亿？

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

2023-10-06 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibansc.html
[行业动态]IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究

针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40 ~150）℃热循环达到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-08-28 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行业动态]一文了解 IGBT 模块封装用陶瓷衬板技术

IGBT 是电力电子变换中的核心元器件，以低电压控制大功率电路的断开与导通，广泛应用于轨道交通、新能源汽车、军工航天、工业机器等领域。随着我国高铁、航空航天、混合动力汽车的飞速发展， IGBT 模块需要更高的可靠性、更快的开关转换速度、更低的能量损耗等，因此，需要高可靠性的封装技术使芯片的优势能够完全发挥出来。其中，IGBT 封装用散热基板在封装时起着机械互连和电气导通的作用，是高可靠性封装中至关重要的环节。

2023-08-14 http://www.jinruixinpcb.com/Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[行业动态]陶瓷基板的市场到底有多大？

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

2023-07-10 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibandeshichang.html
[行业动态]大功率IGBT功率模块用氮化铝覆铜基板

随着高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等行业发展，对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。

2023-04-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行业动态]氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺

氮化铝陶瓷具备优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，具有高热导率、低介电常数、低介电损耗、优良的电绝缘性，与硅相匹配的热膨胀系数及无毒性等优点，使其成为高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料。

2023-03-31 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvAlNtaocijiba.html
[行业动态]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，AMB Si3N4陶瓷基板备受瞩目。1、Si3N4 为何要用AMB工艺目前功率半导体器件所用的陶瓷基板多为DBC（Direct Bond Copper，直接覆铜）工艺，Al2O3与ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技术与铜接合：将无氧铜经热氧化或化学氧化制程于表面产生一Cu2O层，于1065~

2023-03-22 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行业动态]高导热氮化硅陶瓷基板产业化进展

要有效解决器件的散热问题，必须选择高导热的基板材料。近年来已经大规模生产的应用较为广泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaociban.html
[常见问题]陶瓷基板都有哪些材料可以选择呢

陶瓷基板都有哪些材料可以选择呢电力电子、电子封装、混合微电子和多芯片模块广泛应用陶瓷基板，主要是因为陶瓷基板优越的导电性、气密性、绝缘性性能。今天要分享陶瓷基板都有哪些材料可以选择，以及陶瓷基板导热材料的发展。一，过去用树脂基板现在用陶瓷基板有何区别环氧树脂基板，由于其良好的经济性，在整个电子市场上仍然占据主导地位，但许多特殊领域如高温、线膨胀系数不匹配、气密性、稳定性、力学性能等显然不适合，即使在环氧树脂中加入大量的有机溴化物，也无济于事。陶瓷材料基板，导热性强，是树脂基板导热性能的10倍甚至百倍，陶瓷材料的气密性非常好，另外陶瓷基板绝缘性也非常高，不需要在添加绝缘层，除了费用贵一些，其他性能都挺好。二，陶瓷基板可以选择的陶瓷材料 1.氮化铝（AIN）氮化铝有两个重

2022-10-29 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanduyounaxie.html
[行业动态]高热导氮化铝陶瓷基板在宇航器件中的应用

高热导氮化铝陶瓷基板在宇航器件中的应用中国航天事业的快速发展促使航天器用超大规模集成电路及电子器件向高密度、高频、高功率、高可靠性、微型化、多功能化方向发展。器件的热流密度随之增加，散热问题逐渐凸显，散热材料是影响器件传热性能和可靠性的关键。因此，高导热电绝缘材料成为电子系统高度集成化和小型化的突破口，其中，电绝缘陶瓷基板成为解决散热问题的重要方向。氮化铝陶瓷基板成为宇杭器件的散热基板AlN陶瓷具有优异的综合性能，尤其是其出色的导热性能，因而被广泛用于电子电气系统；作为结构功能一体化的陶瓷材料，其介电性能也逐渐获得足够的重视，用于高功率微波管的输能窗等；良好的良好的电绝缘性能，可以用作半导体表面钝化、半导体基板材料和电子元器件的陶瓷封装材料；此外，AlN陶瓷也可用于光学陶瓷材料。A

2022-10-12 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaoredaodanhualvtaoc.html
[常见问题]汽车大灯采用氮化铝基板替代铝基板究竟是什么原因

汽车大灯采用氮化铝基板替代铝基板究竟是什么原因随着汽车消费群体的对汽车大灯的要求越来越高，各路汽车制造厂商为了赢得市场和竞争地位，在汽车大灯方面也是做足了功夫。常用的汽车大灯采用的基板有铝基板、氧化铝基板、氮化铝陶瓷基板。那为什么是氮化铝基板呢？一，汽车大灯对散热和绝缘性的要求提高--氮化铝陶瓷基板满足需要汽车大灯的工作温度非常高、对亮度的要求也是比较高的、亮度越高、功率越高、温度越高。只有不断的提升冷热设计和散热器件的散热能力，但是要取得较好的效果，还是需要氮化铝陶瓷基板。因为氮化铝陶瓷基板导热率高到170w以上，散热能力强，可以耐高温500°C，这方面铝基板不及氮化铝陶瓷基板的百分之一，散热能力方面氧化铝陶瓷基板也不过是氮化铝陶瓷基板的六分之一左右。

2022-10-08 http://www.jinruixinpcb.com/Article/qichedadengcaiyongda.html
[行业动态]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被广泛使用的直接覆铜(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通过共晶键合法制备而成，铜和陶瓷之间没有粘结材料，在高温服役过程中，往往会因为铜和陶瓷(Al2O3或AlN)之间的热膨胀系数不同而产生较大的热应力，从而导致铜层从陶瓷表面剥离，因此传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行业动态]氮化硅陶瓷基板为何会成为第三代半导体器件的优质封装材料

氮化硅陶瓷基板为何会成为第三代半导体器件的优质封装材料随着国家对半导体行业的大力支持，以及第三代半导体科技行业的快速发展，氮化硅陶瓷覆铜基板成为第三代半导体器优质的封装材料。今天小编就来分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些优势能被第三代半导体选择和应用。一，氮化硅陶瓷基板有着与其他陶瓷基板独特的优势陶瓷基板材料凭借其极好的耐高温、耐腐蚀、热导率高、机械强度高、热膨胀系数与芯片相匹配及不易劣化等特性成为大功率、高密度、高温及高频器件封装的首选。目前应用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年来，电子电力器件朝大功率、高频化、高密度、集成化等方向发展，对器件中陶瓷散热基板提出了更高要求。与AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[行业动态]氮化铝陶瓷基板厚膜电阻制作研究

氮化铝陶瓷基板厚膜电阻制作研究氮化铝陶瓷基板制作厚膜电阻电阻率不同，阻值不同，性能也不同。今天小编要分享的是氮化铝陶瓷基板厚膜电阻的制作研究。在AlN基板上，使用IKTS电阻浆料制作了4种方阻的厚膜电阻，确定了AlN基板用电阻的阻值与设计方数的关系，推算出了不同方数下的电阻设计比例。测试了电阻的温度系数，测量结果均小于150×10-6/℃。使用激光调值机对4种方阻的电阻进行调值，经150 ℃、1 000 h高温存储，阻值变化率<1.5%。一，陶瓷基板的电阻制作为何选用氮化铝陶瓷基板随着微电子封装技术的发展，电子元件的功率、密度越来越大，单位体积发热量随之增加，对新一代电路基板散热能力(即热导率)的要求也更加严格。现阶段开发的高热导率陶瓷基

2022-06-21 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaocijibanho.html
[常见问题]氮化铝陶瓷基板关键制备工艺的研究

氮化铝陶瓷基板关键制备工艺的研究前言氮化铝（AlN）陶瓷作为一种导热率高，热膨胀系数与硅半导体接近的材料，具备良好的绝缘和机械性能，在高频通信、LED照明、新能源汽车、高铁、风能和光伏发电等新兴领域的商业化应用逐渐普及。由于AlN材料制作工艺比较复杂，生产成本较高，目前大部分国产AlN材料尚达不到高导热、高强度的应用要求。本文针对适合批量生产AlN陶瓷的常压烧结工艺进行探讨分析，研究不同工艺条件对AlN性能的影响。氮化铝陶瓷的制备1、原材料准备本实验采用自制高纯AlN粉体进行制备。采用Malvern MS2000型激光粒度仪测量AlN粉体平均粒度（D50）为1.2μm。采用SU8010型扫描电子显微镜观察颗粒形貌，如图1所示，该粉体颗粒多数呈球状，尺寸在0.3μ

2022-03-24 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaocijibangu.html
[常见问题]氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比差异

氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比差异氮化硅基板、氮化铝基板、氧化铝基板都是陶瓷基板，在散热性、绝缘性、导热性都很不错，在各大需要散热、绝缘、高频等领域产品发挥了非常重要的左右，尤其是对汽车电子、消费电子、电力、通讯、交通轨道、医疗、半导体、LED等领域作用非常大，那么氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比有什么差异呢？一，首先是氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板材料和性能不同可以看出氮化铝基板导热性最突出；氮化硅陶瓷基板高强度要更高，更耐压；氧化铝陶瓷基板介电常数最高，氮化硅基板介电损耗最低，热膨胀系数氮化硅基最低。二，氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板市场应用不同基于氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板特性不同，应用领域有所不同，氮化铝基板导热性非常高

2022-01-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguijibanyudanh.html