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[行业动态]大功率IGBT功率模块用氮化铝覆铜基板

随着高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等行业发展，对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。

2023-04-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常见问题]氮化铝多层陶瓷及覆铜基板采用什么工艺制作

氮化铝多层陶瓷及覆铜基板采用什么工艺制作氮化铝多层陶瓷基板以及氮化铝覆铜基板已经被充分应用到LED功率照明、半导体器件、医疗、汽车电子等产品领域。那么氮化铝多层陶瓷及覆铜基板是怎么做出来的，采用什么工艺做的呢？一，氮化铝多层陶瓷基板多采用HTCC高温烧结或者LTCC低温烧结工艺制作HTCC氮化铝多层陶瓷基板具有薄型化、微型化、具体高强度、高气密性、高电气性能特征。HTCC高温烧结氮化铝多层陶瓷基板多被应用到高导热、高集成、智能化的产品领域，LED功率模组、大功率微组装电路、加热器等。LTCC低温共烧多层氮化铝陶瓷基板，多应用在光通讯、应用于 MEMS、驱动器和传感器等领域、应用于航空、航天及军事领域、应用在汽车电子等领域、医疗等。二，氮化铝陶瓷覆铜

2022-03-29 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvduocengtaoci.html
[常见问题]氮化硅陶瓷覆铜基板的可靠性决定了它的市场定位

氮化硅具有高热导率,低热阻,高抗弯强度,高断裂韧性,耐高温,耐磨损,耐腐蚀等一系列优异的物理特性,因此,其正逐渐成为宽禁带大功率半导体器件首选的基板材料.氮化硅陶瓷覆铜基板优异的高可靠性使其成为高铁,电动汽车等领域功率模块最有前途的基板材料之一。也正因此奠定了氮化硅覆铜陶瓷基板的可靠性和市场地位。 1，氮化硅陶瓷覆铜基板的制作工艺高性能氮化硅陶瓷粉体的特性对氮化硅陶瓷覆铜基板的成型，烧结以及最终的性能有很大的影响作用。目前氮化硅陶瓷覆铜基板只有日本厂商具备量产能力,国内进口困难,阻碍了相关产业的发展.采用气压烧结实现了高性能氮化硅陶瓷基板的制备,并通过活性金属钎焊工艺获得了氮化硅陶瓷

2020-12-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocifutong.html
[行业动态]氮化铝陶瓷基板在IGBT模块的深度研究

电动汽车、电力机车、智能电网等领域需要实现电能转换和控制的绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为电力电子器件。氮化铝陶瓷覆铜板既具有陶瓷的高导热性、高电绝缘性、高机械强度、低膨胀等特性，又具有无氧铜的高导电性和优异的焊接性能，是IGBT模块封装的关键基础材料。本文采用直接覆铜工艺(DBC)和活性金属焊接工艺(AMB)制备了氮化铝陶瓷覆铜板，对比了两种工艺的异同点和制备的氮化铝陶瓷覆铜板的性能差异，并指出氮化硅陶瓷覆铜板有望在下一代功率模块上广泛应用。

2020-01-14 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaocijibanzd.html
[常见问题]氮化铝陶瓷覆铜板制作的工艺技术方法？

氮化铝覆铜板在热特性方面具有非常高的热导率，散热快;在应力方面，热膨胀系数与硅接近，整个模块内部应力较低。在高功率IGBT模块方面使用非常可靠。这些优异的性能都使得氮化铝覆铜板成为高压IGBT模块封装的首选。那么氮化铝陶瓷覆铜板是如何制作的呢？

2019-12-19 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaocifutongb.html

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