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[常见问题]优质氮化铝陶瓷覆铜板制作工艺具体方法

优质氮化铝陶瓷覆铜板制作工艺具体方法优质高强度氮化铝陶瓷覆铜板能解决随着电力半导体模块电流容量和功率密度的不断提高，单位面积功耗大大增加，引起的大功率模块的散热关键词问题。氮化铝陶瓷覆铜板能替代氧化铝陶瓷覆铜板，是因为氮化铝陶瓷覆铜板的导热能力更高。氧化铝基陶瓷覆铜板（Al2O3DBC基板）由于具有优良的机械性能和很高的电绝缘强度，且资源丰富、价格低廉，具有超高的性价比，在中、小功率电力半导体模块制作的DBC基板中占有主导地位，但因其热导率较低，线性膨胀系数与硅相差较大，所以Al2O3 DBC基板在大功率模块制作中就显得非常不足，而AlN陶瓷的绝缘性能和机械性能都很接近Al2O3陶瓷，且它的热导率是Al2O3陶瓷的7倍左右，线膨胀系数与硅匹配性更好，因此氮

2022-05-30 http://www.jinruixinpcb.com/Article/youzhidanhualvtaocif.html
[常见问题]氮化铝多层陶瓷及覆铜基板采用什么工艺制作

氮化铝多层陶瓷及覆铜基板采用什么工艺制作氮化铝多层陶瓷基板以及氮化铝覆铜基板已经被充分应用到LED功率照明、半导体器件、医疗、汽车电子等产品领域。那么氮化铝多层陶瓷及覆铜基板是怎么做出来的，采用什么工艺做的呢？一，氮化铝多层陶瓷基板多采用HTCC高温烧结或者LTCC低温烧结工艺制作HTCC氮化铝多层陶瓷基板具有薄型化、微型化、具体高强度、高气密性、高电气性能特征。HTCC高温烧结氮化铝多层陶瓷基板多被应用到高导热、高集成、智能化的产品领域，LED功率模组、大功率微组装电路、加热器等。LTCC低温共烧多层氮化铝陶瓷基板，多应用在光通讯、应用于 MEMS、驱动器和传感器等领域、应用于航空、航天及军事领域、应用在汽车电子等领域、医疗等。二，氮化铝陶瓷覆铜

2022-03-29 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvduocengtaoci.html
[常见问题]氮化铝陶瓷直接覆铜基板结合强度受铜片氧化层厚度而变化

优良的导电和导热性能是氮化铝陶瓷直接覆铜基板的核心优势，在大功率、高密度封装领域具有广泛的应用前景。但是氮化铝陶瓷直接覆铜基板的金属结合力是非常重要的关键，这个直接影响到后面的焊接和元器件插件。那么氮化铝陶瓷直接覆铜基板在不同的温度和时长情况下因为铜片氧化层的变化而变化，以下是具体的几个方面：直接覆铜法制备氮化铝陶瓷覆铜基板的工艺条件下，采用分别在无氧铜片和AlN基片上进行预氧化的方法,从而形成相应的Cu2O和Al2O3氧化层,然后通过化学反应形成封接良好的界面,制备出AlN陶瓷直接敷铜基板。不同铜片高温和时间长度下，氮化铝陶瓷覆铜基板结合力情况如下：在900~1050℃之间,当氧气体积分数为2%~10%时,铜片表面可生成纯的Cu2O层。Cu2O层厚度随温度和氧含量的增加而逐渐增加,达到一定厚度后产生剥落。氧化

2021-04-01 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaocizhijief.html

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