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[行业动态]Bosch Research通过3D打印技术制造陶瓷覆铜基板

电力电子器件采用双面覆铜陶瓷基板，传统制造和处理功能结构的方法复杂且昂贵。尤其是由于功能结构较小，使用贴装工艺来制造和处理这些结构的成本高昂且过程复杂。此外，功能结构与基板的连接需要额外的制造和连接工艺，例如烧结，这些工艺可能在功能结构和基板之间产生热阻。

2024-08-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/BoschResearchtongguo.html
[行业动态]陶瓷基板的制作工艺

采用通过磁控溅射，图形化光刻，干法湿法蚀刻，电镀加厚工艺，在陶瓷基板上制作出超细线条电路图形。

2024-07-03 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibandezhizuogo.html
[行业动态]银铜钛 (AgCuTi) 为何在IGBT上应用

随着我国新能源汽车、高铁、城市轨道交通以及智能电网的高速发展，对高压大功率IGBT模块的需求日益增长。相较于其他应用领域，车规级 IGBT模块对产品安全、可靠性提出耐高温、散热性优、工作温度范围广、使用寿命长等更高要求。据报道，约70%的IGBT模块失效归因于散热不良引起的键合线剥离或熔断。芯片的散热主要通过IGBT模块中的陶瓷基板来实现，其作用是吸收芯片的产热并传导至热沉上，从而实现芯片与外界之间的热交换。阅读本文前，欢迎识别二维码加入艾邦IGBT/SiC产业链交流群。

2024-03-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行业动态]陶瓷覆铜基板抗弯强度介绍

陶瓷材料的弯曲强度是金属化陶瓷基板的一项重要性能，因为它在装配过程中影响到基板的可靠性和强度。弯曲强度通常表征为陶瓷对拉伸强度的阻力。这取决于陶瓷材料和材料中宏观缺陷的类型、分布以及测量、评估方法。

2023-12-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocifutongjibankang.html
[行业动态]AMB活性金属钎焊法，陶瓷与金属的完美结合

相比于传统的DBC基板，采用AMB工艺制备的陶瓷基板，不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势；此外，因其加工过程能在一次升温中完成，操作简便、时间周期短、封接性能好并且对陶瓷的适用范围广，所以该工艺在国内外发展较快，成为了电子器件中常用的一种方法。

2023-12-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-11-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行业动态]IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究

针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40 ~150）℃热循环达到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-08-28 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行业动态]陶瓷基板的现状及发展浅析

陶瓷材料在电子工业中扮演着重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。在电子线路的设计和制造非常需要这些的性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。

2023-07-28 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibandexianzhua.html
[行业动态]DBC直接键合陶瓷基板特性及应用

现代微电子技术发展迅猛,芯片功率及模块功率密度大大升高,电子元件和系统工作热耗散显著增加。陶瓷覆铜基板具有优异的导热性、绝缘性、机械性能，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。

2023-07-26 http://www.jinruixinpcb.com/Article/DBCzhijiejianhetaoci.html
[行业动态]2023年AMB陶瓷基板实力企业榜单

近几年来，在新能源汽车市场暴增刺激下，碳化硅模块上车的进程大幅超过市场预期，AMB陶瓷基板优异导热和抗弯性能已经成为SiC芯片最佳封装材料。根据市场研究机构的数据显示，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模从2016年的约10亿美元增长到2020年的约15亿美元，年复合增长率为7.5%左右。预计到2025年，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模将达到约20亿美元，年复合增长率为5.5%左右。

2023-07-24 http://www.jinruixinpcb.com/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行业动态]陶瓷基板工艺简介

在电子陶瓷封装中，陶瓷基板除了为电路和芯片提供结构支撑和电气互连，还必须为其提供良好的热处理以确保正常工作。

2023-07-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibangongyijian.html
[行业动态]铝基碳化硅（AlSiC）在IGBT上的应用

大电流IGBT（绝缘栅双极型晶体管）模块在工作时，会产生大量的热。尤其是工作电流达到600A以上的IGBT模块。类似功率模块的封装热管理工艺中，考虑的目标是消除热结。那么，需要在芯片底部和散热器之间的热通道建设尽量畅通。

2023-06-26 http://www.jinruixinpcb.com/Article/lvjitanhuaguiAlSiCza.html
[行业动态]陶瓷封装将成为主流电子封装技术

电子元件长期在高温、高湿等环境下运转将导致其性能恶化，甚至可能会被破坏。因而，需要采用有效的封装方式，不断提高封装材料的性能，才能使得电子元件在外界严苛的使用环境下保持良好的稳定性。

2023-06-14 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocifengzhuangjiang.html
[行业动态]IGBT模块生产工艺流程及主要设备

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块生产过程主要是把晶圆贴片在陶瓷基板上，键合线，插针，点胶密封等过程。在阅读本文之前，欢迎识别二维码加入艾邦IGBT产业微信群；

2023-06-05 http://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaishengchang.html
[行业动态]超声波扫描技术在IGBT模块检测的应用

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT双极型三极管和绝缘栅型MOS场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。其具有高输入阻抗，低导通压降，高速开关特性和低导通状态损耗等特点，非常适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力电子应用。

2023-05-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/chaoshengbosaomiaoji.html
[行业动态]大功率IGBT功率模块用氮化铝覆铜基板

随着高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等行业发展，对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。

2023-04-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[常见问题]铜基板和陶瓷基板有什么区别呢？

铜基板陶瓷基板都是具有电气性能的电路板，都使用在高频和高温产品领域，但是陶瓷基板铜基板有什么区别呢...

2023-04-07 http://www.jinruixinpcb.com/Article/tongjibantaocijibany.html
[行业动态]IGBT模块构成各部件的材料

目前，功率器件和模块主要采用引线键合的互连工艺和平面封装结构。图1为普通IGBT模块的结构示意图。从上图可以看出，IGBT模块共由7层结构构成，大致可以分成三部分：芯片、DBC和散热基板。每部分之间由焊锡连接而成。IGBT是在晶闸管的基础上发展而来，但与传统的晶闸管相比，IGBT模块省去了内部的阴极和阳极金属层，分别由芯片表面引出的焊线及DBC上层铜板代替。除此之外，原先的镍金属缓冲层也被去掉了，其代价是单个IGBT芯片的容量减少。为了弥补这一缺陷，需要在DBC板上安置更多的IGBT芯片。IGBT模块是由不同的材料层构成，如金属、陶瓷以及高分子聚合物以及填充在模块内部用来改善器件相关热性能的硅胶。它们的热膨胀系数以及热导率存在很大的差异，在器件的工作过程中会出现意想不到的问题。物理上，热导率代表了物体导热性能的

2023-03-16 http://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaigouchengge.html
[行业动态]IGBT模块材料特性的热导率和热膨胀系数

IGBT功率模块内部由多层堆叠而成，各层的材料不同，其主要的作用也不同。金属、陶瓷、硅凝胶和环氧树脂塑料等，是目前功率半导体器件封装的主要材料。不同材料的不同特性对IGBT器件的整体性能有着十分重要的影响，其中最主要的是影响散热效果的材料热导率和影响封装体内部各层间应力的材料热膨胀系数。1.材料的热导率材料的热导率体现了材料的导热能力，热导率越大，散热效果越好，热阻越小。根据现有资料，金属（水银除外）往往比非金属的热导率要大，纯金属的热导率比合金热导率大，合金比金属-非金属混合物热导率大。IGBT模块内部结构主要由基板、DBC板、焊接材料和其他封装材料组成。常见DBC板材料的热导率如表1所示。BeO陶瓷的热导率最高，但由于BEO粉末有毒性，在生产制造过程中较为麻烦，限制了在工业中的广泛应用。AH2O3陶瓷绝缘性

2023-03-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaicailiaotex.html