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[行业动态]Bosch Research通过3D打印技术制造陶瓷覆铜基板

电力电子器件采用双面覆铜陶瓷基板，传统制造和处理功能结构的方法复杂且昂贵。尤其是由于功能结构较小，使用贴装工艺来制造和处理这些结构的成本高昂且过程复杂。此外，功能结构与基板的连接需要额外的制造和连接工艺，例如烧结，这些工艺可能在功能结构和基板之间产生热阻。

2024-08-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/BoschResearchtongguo.html
[行业动态]银铜钛 (AgCuTi) 为何在IGBT上应用

随着我国新能源汽车、高铁、城市轨道交通以及智能电网的高速发展，对高压大功率IGBT模块的需求日益增长。相较于其他应用领域，车规级 IGBT模块对产品安全、可靠性提出耐高温、散热性优、工作温度范围广、使用寿命长等更高要求。据报道，约70%的IGBT模块失效归因于散热不良引起的键合线剥离或熔断。芯片的散热主要通过IGBT模块中的陶瓷基板来实现，其作用是吸收芯片的产热并传导至热沉上，从而实现芯片与外界之间的热交换。阅读本文前，欢迎识别二维码加入艾邦IGBT/SiC产业链交流群。

2024-03-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行业动态]陶瓷覆铜基板抗弯强度介绍

陶瓷材料的弯曲强度是金属化陶瓷基板的一项重要性能，因为它在装配过程中影响到基板的可靠性和强度。弯曲强度通常表征为陶瓷对拉伸强度的阻力。这取决于陶瓷材料和材料中宏观缺陷的类型、分布以及测量、评估方法。

2023-12-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocifutongjibankang.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-11-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行业动态]IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究

针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40 ~150）℃热循环达到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-08-28 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行业动态]陶瓷基板的现状及发展浅析

陶瓷材料在电子工业中扮演着重要的角色，其电阻高，高频特性突出，且具有热导率高、化学稳定性佳、热稳定性和熔点高等优点。在电子线路的设计和制造非常需要这些的性能，因此陶瓷被广泛用于不同厚膜、薄膜或和电路的基板材料，还可以用作绝缘体，在热性能要求苛刻的电路中做导热通路以及用来制造各种电子元件，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。

2023-07-28 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibandexianzhua.html
[行业动态]DBC直接键合陶瓷基板特性及应用

现代微电子技术发展迅猛,芯片功率及模块功率密度大大升高,电子元件和系统工作热耗散显著增加。陶瓷覆铜基板具有优异的导热性、绝缘性、机械性能，广泛应用于功率电子、电子封装、混合微电子与多芯片模块等领域。

2023-07-26 http://www.jinruixinpcb.com/Article/DBCzhijiejianhetaoci.html
[行业动态]陶瓷基板工艺简介

在电子陶瓷封装中，陶瓷基板除了为电路和芯片提供结构支撑和电气互连，还必须为其提供良好的热处理以确保正常工作。

2023-07-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibangongyijian.html
[行业动态]大功率IGBT功率模块用氮化铝覆铜基板

随着高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等行业发展，对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。

2023-04-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行业动态]碳化硅陶瓷基板（SiC）对新能源汽车能带来哪些有利影响

碳化硅陶瓷基板（SiC）对新能源汽车能带来哪些有利影响在近两年技术产品发布上，“SiC（碳化硅陶瓷基板）”成为了所有零部件供应商和主机厂经常提起的明星产品。汽车动力系统在发生三大变化，动力来源从内燃机演变为电动机，功率半导体材料从硅转向碳化硅，电压平台从400V升级到800V。相比硅基IGBT，SiC器件体积更小、功率密度高、耐压强，应用在800V平台中能够产生更高的系统优势，可以达到充电快和续航里程远的综合效益。在碳化硅陶瓷基板（SiC）方面，第一个吃螃蟹的人是特斯拉。2018年，Model 3 为第一款采用全 SiC 功率模块电机控制器的纯电动汽车，开创碳化硅陶瓷基板应用的先河。基于 IGBT 的诸多优势，在 Model 3 问世之前，市面上的新能源车均采用 I

2022-10-27 http://www.jinruixinpcb.com/Article/tanhuaguitaocijibanSi.html
[常见问题]多种基板对比!氮化铝陶瓷基板在LED散热中胜出

多种基板对比--氮化铝陶瓷基板在LED散热中胜出功率型LED封装技术发展至今，可供选用的散热基板包括环氧树脂覆铜基板、金属基覆铜基板、金属基复合基板、陶瓷覆铜基板等。那么今天小编就来对比一下哪种基板在LED散热中胜出，更受欢迎。LED封装不断向着高效率、高密度、大功率方向发展，对基板的散热能力、载流能力、绝缘性能提出了更高的要求。以下分享一下环氧树脂覆铜基板、金属基覆铜基板、金属基复合基板、陶瓷覆铜基板的优劣看看哪种更适合LED功率器件。1，环氧树脂覆铜基板环氧树脂覆铜基板是传统电子封装中应用最广泛的基板。它起到支撑、导电和绝缘三个作用。其主要特性有：成本低、较高的耐吸湿性、密度低、易加工、易实现微细图形电路、适合大规模生产等。但由于FR－4的基底材料

2022-10-27 http://www.jinruixinpcb.com/Article/duozhongjibanduibi.html
[常见问题]氮化硅陶瓷基板金属化

氮化硅陶瓷基板金属化氮化硅陶瓷基板机械性能非常好，硬度强，耐磨损，导热系数在85w~90w，在一些需要较强硬度和导热性的产品领域被备受欢迎。比如汽车减振器的载板、交通轨道，IGTB载板、第三代半导体等。既能作为载板起到散热很支持的作用，又能实现线路层互连，起到良好的电气性能作用，那么就需要在氮化硅陶瓷基板做金属化工艺。一，什么是氮化硅陶瓷基板金属化氮化硅陶瓷基板金属化，是在陶瓷基表面覆铜、或者做其他金属。目前最常见的就是覆铜。氮化硅陶瓷基板金属化后，通过线路、金属孔等可以实现层级互连作用。二，氮化硅陶瓷基板金属化技术-AMB工艺氮化硅陶瓷基板金属化技术多采用AMB工艺，AMB技术是指，在800℃左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反

2022-10-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanj.html
[常见问题]双面陶瓷覆铜基板制作和价格

双面陶瓷覆铜基板制作和价格双面陶瓷覆铜基板通常是用于器件的载板，一方面起到承载和支持的作用，另一方面实现层级电路导通，导热，散热等效果。那么双面陶瓷覆铜基板怎么制作的，价格怎么样呢？一，双面陶瓷覆铜基板制作工艺双面陶瓷覆铜基板制作工艺有多种可以选择，企业可以根据自身产品的性能要求，结合市场陶瓷覆铜板的制程能力水平设计图纸和工艺要求来制作。双面陶瓷覆铜基板目前主流的制作工艺有DPC镀铜工艺、DBC烧结铜工艺、AMB活性钎焊工艺。DPC镀铜工艺，线路层较薄，图形精密度高、可以实现精密线路，金属过孔等制作要求，大功率封装基板多采用这种工艺；DBC陶瓷覆铜工艺，可做较厚线路层，耐热性较好，比较适合大功率、大温度变化的功率器件；AMB工艺，活性钎焊工艺，铜层均匀，可实现多次焊

2022-10-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/shuangmiantaocifuton.html
[行业动态]覆铜陶瓷基板的应用例举

覆铜陶瓷基板的应用例举覆铜陶瓷基板也叫陶瓷覆铜板，在陶瓷基片的表面金属化铜工艺，用来做为器件载板，同时事先层级电路连接，导热导电等功能。那么覆铜陶瓷基板都应用用到哪些领域呢？一，覆铜陶瓷基板应用到新能源汽车产品电子控制系统是电动汽车的关键部件，其主要组成部分包括系统集成与软件、芯片与特殊器件、IGBT模块、车用传感器、电子控制模块与连接器、继电器等。而IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块是整个电子控制系统的“中枢神经系统”，是驱动系统的核心，占控制器总成本的40%~50%。陶瓷覆铜板是铜-陶瓷-铜“三明治”结构的复合材料，它具有陶瓷的散热性好、绝缘性高、机械强度高、热膨胀与芯片匹配的特性，又兼有无氧铜电流承载能力强、焊接和键合性能好、热导

2022-10-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/futongtaocijibandeyi.html
[常见问题]覆铜陶瓷基板上市企业有哪些

覆铜陶瓷基板上市企业有哪些做陶瓷覆铜基板一定要找上市公司吗？上市公司相对来说实力较为雄厚，在研发方面的投入会比较多，技术更新会比价先进一些。选择一个什么样的覆铜陶瓷基板厂家更适合自己产品的交期和生产计划呢?一，目前已经上市的覆铜陶瓷基板企业江苏富乐华半导体科技股份有限公司由上海申和投资有限公司控股，是专业从事功率半导体覆铜陶瓷载板（AMB、DCB和DPC）的集研发、制造、销售于一体的先进制造业公司，主要以服务半导体领域主。二，如何选择合适的覆铜陶瓷基板厂家覆铜陶瓷基板厂家选择主要还是要结合自身的产品交期，品质要求，加工难度，数量要求、服务等综合评估。比如样品打样，交期要求较为紧凑的，在选择符合制程能力的前提下，选择交期较快的中小型覆铜陶瓷基板厂家反而能够更快的出货，实现研

2022-09-16 http://www.jinruixinpcb.com/Article/futongtaocijibanshan.html
[行业动态]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被广泛使用的直接覆铜(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通过共晶键合法制备而成，铜和陶瓷之间没有粘结材料，在高温服役过程中，往往会因为铜和陶瓷(Al2O3或AlN)之间的热膨胀系数不同而产生较大的热应力，从而导致铜层从陶瓷表面剥离，因此传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行业动态]氮化硅陶瓷基板为何会成为第三代半导体器件的优质封装材料

氮化硅陶瓷基板为何会成为第三代半导体器件的优质封装材料随着国家对半导体行业的大力支持，以及第三代半导体科技行业的快速发展，氮化硅陶瓷覆铜基板成为第三代半导体器优质的封装材料。今天小编就来分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些优势能被第三代半导体选择和应用。一，氮化硅陶瓷基板有着与其他陶瓷基板独特的优势陶瓷基板材料凭借其极好的耐高温、耐腐蚀、热导率高、机械强度高、热膨胀系数与芯片相匹配及不易劣化等特性成为大功率、高密度、高温及高频器件封装的首选。目前应用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年来，电子电力器件朝大功率、高频化、高密度、集成化等方向发展，对器件中陶瓷散热基板提出了更高要求。与AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[行业动态]碳化硅覆铜陶瓷基板的金属化铜工艺

碳化硅覆铜陶瓷基板的制作工艺碳化硅覆铜陶瓷基板在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域广泛应用，那么碳化硅覆铜陶瓷基板采用什么工艺制作的呢？碳化硅陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板覆铜方法类似，可以采用DPC电镀铜工艺以及DBC烧结铜两种金属化工艺。具体采用什么工艺，一个是要考虑铜层厚度，以及性能要求，布线和孔的密度等综合考虑。一，碳化硅陶瓷基板dpc镀铜工艺碳化硅陶瓷基板采用高温dpc电镀烧结铜工艺，铜层一般较薄在100um以内，也比较适合做精密化线路以及多孔，密集孔等，比较适合做高精密产品。制作成本较高，一般都是以打样和小批量为主。二，碳化硅陶瓷基板dbc直接覆铜工艺DBC直接覆铜板工艺，一般铜层较厚，铜层100um以上，通过高位烧结

2022-07-08 http://www.jinruixinpcb.com/Article/tanhuaguifutongtaocijb.html
[常见问题]先进陶瓷在新能源电动汽车上的应用举例

先进陶瓷在新能源电动汽车上的应用举例长时间的疫情反复、俄乌战争带来的地缘政治危机、全球货币放水、能源需求增长、国际石油生产组织成员国的限产措施推行等一系列原因造就了如今使得老百姓对当今油价望而却步。面对仿佛转眼就能突破十元大关的油价，曾经多数对新能源汽车持怀疑态度的用户也不得不承认，现如今的油价让新能源汽车的优势较油车性价比提升了不少。那先进陶瓷在电动汽车上如何应用的呢？可被应用于新能源汽车的先进陶瓷举例：（1）新能源汽车用陶瓷球：新能源汽车中，陶瓷轴承的应用成为一种趋势。新能源汽车对汽车轴承提出了更多新要求，首先电机轴承相比传统轴承转速高，需要密度更低、相对更耐磨的材料；同时由于电机的交变电流引起周围电磁场变化，需要更好的绝缘性减小轴承放电产生的电腐蚀；

2022-06-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/xianjintaocizaixinne.html

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