[行业动态]高温共烧氮化铝陶瓷多层基板适应功率MCM的要求

高温共烧氮化铝陶瓷多层基板适应功率MCM的要求 一，AIN氮化铝陶瓷多层基板在功率MCM有广阔的发展前景电子设备向轻型、小型化、高密度、高可靠性发展，多芯片组装得到快速发展。多层布线技术是多芯片的核心技术之一，随着组装密度的提高，IC芯片集成的提高，多芯片组装的密度也越来越大，功率MCM产生。功率MCM要求多层基板材料具有热导率高、热膨胀系数与硅接近等三个重要特征。AIN氮化铝陶瓷因为具备热导率高、热膨胀系数与硅接近，力学强度高、电性能优良等综合型优点。是功率MCM首先的基板材料和封装材料。由于AIN与SI热膨胀系数相接近、使得AIN基板与SI产生的热应力小。AIN克服了三氧化二铝与SI热膨胀系数不匹配的缺点，采用AIN做基板具备更好的可靠性。由于AIN热阻比三氧化二铝低，所

2021-10-30 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaowengongshaodanhua.html