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AIN多层陶瓷基板如何实现一体化封装多层陶瓷基板凭借其灵活布线、三维集成等优势广泛应用于航空航天、卫星通讯等射频领域。为了实现电子整机向高密度，小型化，轻量化的方向发展，越来越多的电路组件使用多层陶瓷基板封装一体化封装技术（integrated substrate package，ISP）以实现模块化和器件化。AIN多层陶瓷基板是如何实现一体化封装的呢？一，为何要实现一体化封装技术AlN多层陶瓷相比较于低温共烧陶瓷和Al2O3共烧陶瓷来说，其导热系数高，热膨胀系数与Si更接近。伴随着电子设备的集成度大幅提高，电路中单位面积所散发的热量不断增大，系统对散热要求也越来越高。二，了解一下AlN一体化封装工艺结构 1、AlN陶瓷基板制备流程ALN多层陶瓷基板的制备流程与传统低温共烧
2022-10-12 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AINduocengtaocijiban.html
高温共烧氮化铝陶瓷多层基板适应功率MCM的要求 一，AIN氮化铝陶瓷多层基板在功率MCM有广阔的发展前景电子设备向轻型、小型化、高密度、高可靠性发展，多芯片组装得到快速发展。多层布线技术是多芯片的核心技术之一，随着组装密度的提高，IC芯片集成的提高，多芯片组装的密度也越来越大，功率MCM产生。功率MCM要求多层基板材料具有热导率高、热膨胀系数与硅接近等三个重要特征。AIN氮化铝陶瓷因为具备热导率高、热膨胀系数与硅接近，力学强度高、电性能优良等综合型优点。是功率MCM首先的基板材料和封装材料。由于AIN与SI热膨胀系数相接近、使得AIN基板与SI产生的热应力小。AIN克服了三氧化二铝与SI热膨胀系数不匹配的缺点，采用AIN做基板具备更好的可靠性。由于AIN热阻比三氧化二铝低，所
2021-10-30 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaowengongshaodanhua.html
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