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碳化硅覆铜陶瓷基板的特点、用途和应用从二十世界50年代开始，碳化硅纳入固体器件的研究开始，碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，开始受到人们的关注和研究。如今碳化硅陶瓷基板在很多领域应用广泛，金小编就来阐述一下碳化硅陶瓷基板的特点、用途和应用。一，碳化硅覆铜陶瓷陶瓷基板的物料特性和特点碳化硅覆铜陶瓷基板本质是一种硅材料，碳化硅有这优越的导热率，决定了其高电流密度的特点。较高的禁带宽度又决定了碳化硅（SiC）陶瓷线路板的的高击穿场强和高工作温度。具体特性如下： 1，高阻断电压与Si材料相比，SiC的击穿场强是Si的十倍多，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。2，耐600℃高温工作SiC在物理特性上拥有高度稳定的晶体结构
2022-06-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/tanhuaguifutongtaoci.html
碳化硅基和AlN基覆铜板差异特斯拉在 电驱主逆变器采用的是意法半导体供应的650V SiC MOSFET器件，这在2018是风向标实践。SiC基板有什么优势和AIN基覆铜板有什么差异？一，碳化硅基覆铜板的优越性以及与AIN基覆铜板的特性对比碳化硅SiC是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。碳化硅SiC相对AIN基覆铜板的优异特性：如图对比碳化硅的禁带宽度大约为 3.2eV，硅的宽带宽度为 1.12eV，碳化硅的禁带宽度大约为硅的3倍数，这说明碳化硅的耐高压性能显著好于硅材料。此外，导热率为硅的4-5倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。这些特性将使得碳化硅特别适于制造
2022-01-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/tanhuaguijiheAlNjifu.html
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