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[陶瓷基板]IGBT陶瓷基板

层数：2层
板厚：0.38mm
所用板材：99%氮化铝
最小孔径：0.8mm 表面处理：沉金
绝缘层导热系数：170W
外层铜厚：35um
金厚：>=3u"
工艺特点：通孔、陶瓷基

2018-05-21 http://www.jinruixinpcb.com/Products/IGBTtaocijiban.html

[行业动态]AMB与DBA的母工艺——DBC 直接覆铜陶瓷基板工艺

随着电子设备的不断进步，芯片集成度的提升和电路设计的紧凑，使得单位面积的功耗显著增加，导致热量积累。这不仅影响设备性能，还可能导致组件故障。在这种背景下，直接覆铜（DBC）陶瓷基板凭借出色的导热和导电性能，成为重要的电子封装材料，广泛应用于功率模块和集成电力电子模块。

2024-10-16 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMByuDBAdemugongyiDB.html
[常见问题]pcb线路板的动态翘曲分析明细！

PCB线路板的动态翘曲分析是一个涉及到多种因素的综合过程，包括但不限于材料特性、制造过程、环境条件以及机械载荷等。

2024-05-22 http://www.jinruixinpcb.com/Article/pcbxianlubandedongta.html
[行业动态]高压大功率IGBT模块首选封装材料——AMB陶瓷基板

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管的基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，大规模应用于电动汽车、电力机车里的电机驱动以及并网技术、储能电站、工业领域的高压大电流场合的交直流电转换和变频控制等领域，是电力电子领域中最重要的大功率器件，是绿色经济的核“芯”。

2024-03-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行业动态]银铜钛 (AgCuTi) 为何在IGBT上应用

随着我国新能源汽车、高铁、城市轨道交通以及智能电网的高速发展，对高压大功率IGBT模块的需求日益增长。相较于其他应用领域，车规级 IGBT模块对产品安全、可靠性提出耐高温、散热性优、工作温度范围广、使用寿命长等更高要求。据报道，约70%的IGBT模块失效归因于散热不良引起的键合线剥离或熔断。芯片的散热主要通过IGBT模块中的陶瓷基板来实现，其作用是吸收芯片的产热并传导至热沉上，从而实现芯片与外界之间的热交换。阅读本文前，欢迎识别二维码加入艾邦IGBT/SiC产业链交流群。

2024-03-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/yintong(AgCuTi)weihe.html
[行业动态]DBC 和 AMB 覆铜陶瓷基板有何不同？

近年来，随着新能源行业的迅猛发展，半导体功率模块得到了广泛的应用。功率模块一般应用在大功率大电压环境中，相较于通常的电子应用领域，其对载板的电流载流能力、绝缘耐压能力、以及高效散热能力有着更高的要求。而覆铜陶瓷基板的高载流、高耐压、高散热的特点，恰好满足了功率模块的应用需求。

2024-02-21 http://www.jinruixinpcb.com/Article/DBCheAMBfutongtaocij.html
[常见问题]不同材质的陶瓷基板分别适用哪些抛光工艺？

目前，已投入生产的陶瓷基板主要有氧化铝(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)、氧化铍(BeO)和氮化铝(AlN)等。陶瓷基板的硬度高、脆性大、容易产生裂纹、表面加工难度大。因此，对于陶瓷基板表面的加工要求更加严格，一般采用研磨抛光以去除基板表面的附着物、改善平整度、降低表面粗糙度，提高尺寸精度和表面质量，满足薄型化的要求。不同陶瓷材质的性能和结构存在差异，选择合适的抛光技术才能起到事半功倍的处理效果。

2024-01-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/butongcaizhidetaocij.html
[行业动态]AMB陶瓷基板应用介绍

在新能源汽车市场暴增刺激下，碳化硅模块上车的进程大幅超过市场预期，AMB陶瓷基板优异导热和抗弯性能已经成为SiC芯片最佳封装材料。根据市场研究机构的数据显示，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模从2016年的约10亿美元增长到2020年的约15亿美元，年复合增长率为7.5%左右。预计到2025年，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模将达到约20亿美元，年复合增长率为5.5%左右。

2024-01-12 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibanyingyon.html
[行业动态]6种常见的陶瓷与金属的连接方法，谁能称霸半导体封装市场？

陶瓷与金属封接，最大难点是陶瓷和金属的热膨胀系数相差较大，使得连接完成后的封接界面处会产生较大残余应力，这不仅会降低接头强度，也会影响金属对陶瓷表面的润湿效果。

2024-01-10 http://www.jinruixinpcb.com/Article/6zhongchangjiandetao.html
[常见问题]不知道陶瓷覆铜板dbc是什么？请看下文！

陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper）是一种新型的高性能散热材料，它是一种将铜层与陶瓷基板有机结合的散热材料，其中铜层可以有效地传播和分散热量，而陶瓷基板具有良好的绝缘性能和高温稳定性。dbc具有导热性好、机械强度高、抗冲击性好、耐高温性强等特点，在电子封装、LED照明、汽车电子等行业得到广泛应用。

2024-01-05 http://www.jinruixinpcb.com/Article/buzhidaotaocifutongb.html
[行业动态]SiC陶瓷基板，市场潜力如何？

学界关注较多的是热压烧结的办法，即在制备以SiC为原材料制备陶瓷基板时，在其中添加少量的BeO和B2O3可以增加它的电阻率。采用不同的烧结方法、烧结助剂制备出的不同纯度的SiC陶瓷。烧结时，其室温下热导率为 100～490 W/( m·K) ；在1900 ℃以上的温度中使用热压烧结，制备出的SiC陶瓷密度达98%以上，平均晶粒度约为6微米。

2023-12-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/SiCtaocijibanshichan.html
[行业动态]AMB活性金属钎焊法，陶瓷与金属的完美结合

相比于传统的DBC基板，采用AMB工艺制备的陶瓷基板，不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势；此外，因其加工过程能在一次升温中完成，操作简便、时间周期短、封接性能好并且对陶瓷的适用范围广，所以该工艺在国内外发展较快，成为了电子器件中常用的一种方法。

2023-12-11 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-11-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行业动态]陶瓷基板的市场规模和应用发展

目前，国内常用陶瓷基板材料主要为Al2O3、AlN和Si3N4。无论哪种材料的陶瓷基板，在烧结成型之后，需对其表面实施金属化，然后通过影像转移的方法完成表面图形的制作，以实现陶瓷基板的电气连接性能。金属化陶瓷基板按照工艺主要分为DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化铝陶瓷基板主要采用DBC、DPC工艺，氮化铝陶瓷基板主要采用DBC和AMB工艺，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工艺

2023-10-27 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanpcb.html
[行业动态]AMB覆铜陶瓷基板介绍

近年来，随着新能源行业的迅猛发展，半导体功率模块得到了广泛的应用。功率模块一般应用在大功率大电压环境中，相较于通常的电子应用领域，其对载板的电流载流能力、绝缘耐压能力、以及高效散热能力有着更高的要求。而覆铜陶瓷基板的高载流、高耐压、高散热的特点，恰好满足了功率模块的应用需求。

2023-10-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBfutongtaocijibanj.html
[行业动态]陶瓷基板市场预计未来3年大增94.27%，国产化需求强烈

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

2023-10-09 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanshichangyu.html
[行业动态]陶瓷基板的市场到底有多大？十亿？百亿？

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

2023-10-06 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibansc.html
[行业动态]电子封装用陶瓷粉体及基板研究介绍

氮化铝具有一系列优良特性，核心优势特性为优良的热导性、可靠的电绝缘性、以及与硅相匹配的热膨胀系数等。它既是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，也可用于热交换器、压电陶瓷及薄膜、导热填料等，应用前景广阔。

2023-09-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanyanjiujies.html
[常见问题]为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器？

IGBR 电阻器具有高额定功率、单一引线接合组装的特性，外壳尺寸从 0202 到 0808 不等。典型应用于功率转换器（第三代 SiC MOSFET）的栅极电阻器、大功率应用和替代能源等领域。IGBR 是节省电源模块空间的完美部件。

2023-09-20 http://www.jinruixinpcb.com/Article/weishimeIGBTmokuaizh.html
[常见问题]为什么SiC器件还没能取代IGBT？

碳化硅（SiC）器件生产工艺和技术已经日趋成熟，目前市场推广最大的障碍是成本。包括研发和生产成本以及应用中碳化硅器件代换IGBT后整个电路中的驱动电容电阻的成本。除非生产商主推，而且的确能降低成本提高性能。毕竟采用新东西会付出很大代价的。受制于制造成本和产品良率影响，目前阻碍SiC产品大规模进入市场的主要原因是价格昂贵，一般是同类Si产品的10倍左右。虽然说未来随着技术改进和成本下降，碳化硅（SiC）器件取代IGBT是必然，碳化硅（SiC）器件性能上可能是很厉害，但真能成为大势不光要性能上，还要成本上，可靠性上多重保证才行。

2023-09-20 http://www.jinruixinpcb.com/Article/weishimeSiCqijianhua.html
[行业动态]IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究

针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40 ~150）℃热循环达到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html

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