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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管,是由BJT双极型三极管和绝缘栅型MOS场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。其具有高输入阻抗,低导通压降,高速开关特性和低导通状态损耗等特点,非常适合高电压和高电流的光伏逆变器、储能装置和新能源汽车等电力电子应用。
2023-05-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/chaoshengbosaomiaoji.html
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