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[行业动态]电子封装用陶瓷粉体及基板研究介绍

氮化铝具有一系列优良特性，核心优势特性为优良的热导性、可靠的电绝缘性、以及与硅相匹配的热膨胀系数等。它既是新一代散热基板和电子器件封装的理想材料，也可用于热交换器、压电陶瓷及薄膜、导热填料等，应用前景广阔。

2023-09-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanyanjiujies.html
[常见问题]为什么 IGBT 模块中需要栅极电阻器？

IGBR 电阻器具有高额定功率、单一引线接合组装的特性，外壳尺寸从 0202 到 0808 不等。典型应用于功率转换器（第三代 SiC MOSFET）的栅极电阻器、大功率应用和替代能源等领域。IGBR 是节省电源模块空间的完美部件。

2023-09-20 http://www.jinruixinpcb.com/Article/weishimeIGBTmokuaizh.html
[行业动态]IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究

针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40 ~150）℃热循环达到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 http://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行业动态]一文了解 IGBT 模块封装用陶瓷衬板技术

IGBT 是电力电子变换中的核心元器件，以低电压控制大功率电路的断开与导通，广泛应用于轨道交通、新能源汽车、军工航天、工业机器等领域。随着我国高铁、航空航天、混合动力汽车的飞速发展， IGBT 模块需要更高的可靠性、更快的开关转换速度、更低的能量损耗等，因此，需要高可靠性的封装技术使芯片的优势能够完全发挥出来。其中，IGBT 封装用散热基板在封装时起着机械互连和电气导通的作用，是高可靠性封装中至关重要的环节。

2023-08-14 http://www.jinruixinpcb.com/Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[常见问题]“怕热”的 IGBT 选择哪种导热材料好？

随着现代电子技术的进步与发展，电子产品的发展趋向于微型化和密集化，电子器件的功率计散热要求也随之增加。电子器件工作时散发的热量如不能及时导出，会严重影响电子器件的性能和寿命。目前 IGBT 功率器件上广泛使用以导热硅脂、导热相变材料等导热界面材料（Thermal Interface Materials，TIM），以填充安装面与器件散热面之间的间隙，避免高温对器件的影响。

2023-04-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/paredeIGBTxuanzenazh.html
[行业动态]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，AMB Si3N4陶瓷基板备受瞩目。1、Si3N4 为何要用AMB工艺目前功率半导体器件所用的陶瓷基板多为DBC（Direct Bond Copper，直接覆铜）工艺，Al2O3与ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技术与铜接合：将无氧铜经热氧化或化学氧化制程于表面产生一Cu2O层，于1065~

2023-03-22 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行业动态]碳化硅行业研究：把握能源升级+技术迭代的成长机遇

下一代功率器件关键技术：碳化硅近年来，随着 5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关注的问题，以碳化硅为首的第三代半导体材料在这一趋势下逐渐从科研走向产业化。与硅基半导体材料相比，以碳化硅为代表的第三代半导体材料具有高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射能力等特点，适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。具体优势体现在：（1）能量损耗低。碳化硅模块的开关损耗和导通损耗显著低于同等 IGBT 模块，且随着开关频率的提高，与 IGBT 模块的损耗差越大，碳化硅模块在降低损耗的同时可以实现高速开关，有助于降低电池用量，提高续航里程，解决新能源汽车痛点；（2）更小的封

2023-03-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/tanhuaguixingyeyanji.html
[行业动态]关于高导热率氧化硅散热陶瓷的研究进展（一）

针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题，主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述，最后总结了高热导率氮化硅作为散热基板材料的发展趋势。

2022-12-05 http://www.jinruixinpcb.com/Article/guanyugaodaorelvyang.html
[行业动态]碳化硅陶瓷基板（SiC）对新能源汽车能带来哪些有利影响

碳化硅陶瓷基板（SiC）对新能源汽车能带来哪些有利影响在近两年技术产品发布上，“SiC（碳化硅陶瓷基板）”成为了所有零部件供应商和主机厂经常提起的明星产品。汽车动力系统在发生三大变化，动力来源从内燃机演变为电动机，功率半导体材料从硅转向碳化硅，电压平台从400V升级到800V。相比硅基IGBT，SiC器件体积更小、功率密度高、耐压强，应用在800V平台中能够产生更高的系统优势，可以达到充电快和续航里程远的综合效益。在碳化硅陶瓷基板（SiC）方面，第一个吃螃蟹的人是特斯拉。2018年，Model 3 为第一款采用全 SiC 功率模块电机控制器的纯电动汽车，开创碳化硅陶瓷基板应用的先河。基于 IGBT 的诸多优势，在 Model 3 问世之前，市面上的新能源车均采用 I

2022-10-27 http://www.jinruixinpcb.com/Article/tanhuaguitaocijibanSi.html
[行业动态]IGBT陶瓷基板的结构和应用

IGBT陶瓷基板的结构和应用什么是IGBT？IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极晶体管，由双极结型晶体管（BJT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式电子电力器件，是一种电压控制开关型功率半导体器件，也是电能转换的核心器件。IGBT 可分为单管、模块和智能功率模块（IPM）三类产品。IGBT 是诞生于20世纪80年代的功率半导体器件，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品，是工业控制及自动化领域的核心元器件，其作用类似于人类的心脏，能够根据工业装置中的信号指令来调节电路中的电压、电流、频率、相位等，以实现精准调控的目的。二、IGBT模块的结构IGB

2022-08-24 http://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTtaocijibandejieg.html
[常见问题]先进陶瓷在新能源电动汽车上的应用举例

先进陶瓷在新能源电动汽车上的应用举例长时间的疫情反复、俄乌战争带来的地缘政治危机、全球货币放水、能源需求增长、国际石油生产组织成员国的限产措施推行等一系列原因造就了如今使得老百姓对当今油价望而却步。面对仿佛转眼就能突破十元大关的油价，曾经多数对新能源汽车持怀疑态度的用户也不得不承认，现如今的油价让新能源汽车的优势较油车性价比提升了不少。那先进陶瓷在电动汽车上如何应用的呢？可被应用于新能源汽车的先进陶瓷举例：（1）新能源汽车用陶瓷球：新能源汽车中，陶瓷轴承的应用成为一种趋势。新能源汽车对汽车轴承提出了更多新要求，首先电机轴承相比传统轴承转速高，需要密度更低、相对更耐磨的材料；同时由于电机的交变电流引起周围电磁场变化，需要更好的绝缘性减小轴承放电产生的电腐蚀；

2022-06-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/xianjintaocizaixinne.html
[行业动态]氮化硅陶瓷基板在汽车产品上的应用

随着新能源的发展需求，人们对汽车轻质化、低成本、智能化、经济性和可靠性的要求成为可能，而对于新材料的使用，氮化硅陶瓷基板材料便是其中最好的功能材料之一。金瑞欣小编就来讲述一下氮化硅陶瓷基板在汽车产品的应用。

2021-12-06 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanz.html
[常见问题]AMB陶瓷基板的优势、可靠性及其应用

第三代半导体的崛起和发展推动了功率器件尤其是半导体器件不断走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前进，对封装基板性能提升起到了很大的促进作用。陶瓷基板也是陶瓷电路板在电子器件封装中得到广泛应用主要是缘于陶瓷基板具有高热导率、耐高温、较低的热膨胀系数、高的机械强度、耐腐蚀以及绝缘性好、抗辐射的优点。陶瓷基板工艺有很多种，除了DPC、DBC、HTCC、LTCC之外，还有目前备受关注的AMB（Active Metal Bonding）技术，即活性金属钎焊技术。一，什么是活性金属钎焊技术？AMB技术是指，在800℃左右的高温下，含有活性元素Ti、Zr的AgCu焊料在陶瓷和金属的界面润湿并反应，从而实现陶瓷与金属异质键合的一种工艺技术。AMB陶瓷基板，一般是这样制作的：首先通过丝网印刷法在陶瓷板材的表面涂覆上

2021-02-26 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibandexingn.html
[常见问题]氮化硅陶瓷基板的作用和厂家

氮化硅陶瓷基板的作用和厂家什么是氮化硅陶瓷基板氮化硅陶瓷基板材料具有明显优势，尤其是高温条件下氮化硅陶瓷材料表现出的耐高温性能、对金属的化学惰性、超高的硬度和断裂韧性等力学性能。氮化硅的抗弯强度、断裂热性都可以达到AIN陶瓷基的2倍以上。它极耐高温，强度一直可以维持到１２００℃的高温而不下降，受热后不会熔成融体。氮化硅陶瓷基板的作用和应用氮化硅陶瓷基板抗弯曲强度高，耐热性能也很好，因其高强度、高导热、高可靠的特点，广泛应用于新型电动汽车用、功率控制模块、功率型发射器、光伏器件，IGBT 模块，功率型晶闸管、谐振器基座、半导体封装载板等大功率光电及半导体器件领域有广泛用途。高导热氮化硅陶瓷

2020-11-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijiband.html
[常见问题]AMB氮化铝陶瓷电路板和AMB氮化硅陶瓷电路板

amb是活性金属钎焊技术，陶瓷电路板采用AMB工艺制作后具有更高的热导率、铜层结合强度高等特点，而且其热膨胀系数与硅接近，可应用于高电压操作且没有局部放电现象。目前采用amb陶瓷制作工艺的是氮化铝陶瓷和氮化硅陶瓷，经过加工制作线路和打孔后分别称为AMB氮化铝陶瓷电路板和AMB氮化硅陶瓷电路板。

2020-11-07 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBdanhualvtaocidian.html
[常见问题]氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板有什么不同

氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板都是属于导热性能非常好的陶瓷基板，在特定的领域有这不可替代是作用。那么氮化铝陶瓷基板和氮化硅陶瓷基板有什么不同？一，导热性能不同，氮化铝陶瓷基板有更高的导热率氮化硅陶瓷基板的导热率一般75-80W/(m·K），氮化铝陶瓷基板的导热率最高可以去掉170W/(m·K），可见氮化铝陶瓷基板有这更高的导热性能。二，机械强度不同，氮化硅陶瓷具有比氮化铝陶瓷更高的强度机械强度这方面，氮化铝陶瓷基板比起氮化硅陶瓷基板更加容易碎。氮化铝陶瓷基板的机械折弯强度达450mpa，氮化硅陶瓷基板的折弯强度是800mpa，可见高强度高导热氮化硅陶瓷基板有这较好的弯曲强度，可以提高氮化硅陶瓷覆铜板强度和抗冲击能力，焊接更厚的无氧铜

2020-07-03 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaocijibanhe.html
[常见问题]陶瓷pcb打样厂家分享陶瓷基板都会用的哪些基材？

陶瓷基板目前在很多领域非常受欢迎，都会用到哪些陶瓷基材呢？今天小编公司作为深圳陶瓷pcb打样厂家分享一下陶瓷基板的分类以及各自的应用。

2019-04-26 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocipcbdayangchangj.html