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[行业动态]高压大功率IGBT模块首选封装材料——AMB陶瓷基板

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管的基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，大规模应用于电动汽车、电力机车里的电机驱动以及并网技术、储能电站、工业领域的高压大电流场合的交直流电转换和变频控制等领域，是电力电子领域中最重要的大功率器件，是绿色经济的核“芯”。

2024-03-18 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行业动态]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工艺技术

首先了解陶瓷基板与陶瓷基片的区别，特性优势，陶瓷基板制造五大工艺知识，以及工艺特点进行分析，行业展望，最后我们学习一下华科大对陶瓷基板科研知识案例分享

2023-11-06 http://www.jinruixinpcb.com/Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行业动态]全球陶瓷基板市场规模稳步增长！

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

2023-11-03 http://www.jinruixinpcb.com/Article/quanqiutaocijibanshi.html
[行业动态]以后都不要再问HTCC，LTCC，DBC，DPC，AMB都是什么了！

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

2023-10-20 http://www.jinruixinpcb.com/Article/dbctaocijiban.html
[行业动态]陶瓷基板市场预计未来3年大增94.27%，国产化需求强烈

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

2023-10-09 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanshichangyu.html
[行业动态]AMB陶瓷基板：高端IGBT模块基板的应用新趋势

IGBT陶瓷衬板属于新的工艺技术，其中AMB工艺技术的陶瓷衬板也逐步应用于新能源汽车的IGBT模块上。IGBT散热对于功率模块的性能是非常重要的，目前国内的IGBT模块大部分还是采用DBC工艺，但随着工作电压、性能要求的不断提升，AMB工艺技术的陶瓷基板能更好地解决上述痛点。

2023-08-02 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行业动态]陶瓷基板工艺简介

在电子陶瓷封装中，陶瓷基板除了为电路和芯片提供结构支撑和电气互连，还必须为其提供良好的热处理以确保正常工作。

2023-07-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibangongyijian.html
[行业动态]先进陶瓷正逐步推动诸多高技术领域的发展

先进陶瓷已逐步成为新材料的重要组成部分，成为许多高技术领域发展的重要关键材料，备受各工业发达国家的极大关注，其发展在很大程度上也影响着其他工业的发展和进步。由于先进陶瓷特定的精细结构和其高强、高硬、耐磨、耐腐蚀、耐高温、导电、绝缘、磁性、透光、半导体以及压电、铁电、声光、超导、生物相容等一系列优良性能，被广泛应用于国防、化工、冶金、电子、机械、航空、航天、生物医学等国民经济的各个领域。

2023-06-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/xianjintaocizhengzhu.html
[行业动态]除了陶瓷基板，IGBT模块还有哪些主要材料？（实物图）

IGBT是一种新型的电力电子器件，其基本结构是在晶体管的基极和发射极之间加入绝缘层以及一个控制电极。

2023-06-12 http://www.jinruixinpcb.com/Article/chuliaotaocijibanIGB.html
[行业动态]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，AMB Si3N4陶瓷基板备受瞩目。1、Si3N4 为何要用AMB工艺目前功率半导体器件所用的陶瓷基板多为DBC（Direct Bond Copper，直接覆铜）工艺，Al2O3与ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技术与铜接合：将无氧铜经热氧化或化学氧化制程于表面产生一Cu2O层，于1065~

2023-03-22 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html
[行业动态]制备高导热氮化硅陶瓷基板的影响因素浅析

氮化硅在综合性能方面表现最优，这无疑是一种非常理想的散热性能良好的基板材料。目前国内市场上，氧化铝和氮化铝陶瓷基片已经实现产业化，但高导热氮化硅陶瓷作为商用电子器件的基板材料仍是一大难题，只有国外的一些公司可以实现氮化硅陶瓷基板商业化，那到底是什么因素阻碍了这么优秀的的陶瓷基板发展呢？这就得从氮化硅独特的化学成分和微观结构说起。晶格氧对高导热氮化硅陶瓷的影响氮化硅的主要传热机制是晶格振动，通过声子来传导热量。晶格振动并非是线性的，晶格间有着一定的耦合作用，声子间会发生碰撞，使声子的平均自由程减小。另外，Si3N4晶体中的各种缺陷、杂质以及晶粒界面都会引起声子的散射，也等效于声子平均自由程减小，从而降低热导率。▲氮化硅烧结体的典型微观结构研究表明，在诸多晶格缺陷中，晶格氧是影响氮化硅陶瓷热导率的主要缺陷之一。氧原

2023-03-10 http://www.jinruixinpcb.com/Article/zhibeigaodaoredanhua.html
[行业动态]AMB陶瓷基板在IGBT上的应用介绍

根据封装结构和应用要求，陶瓷基板可分为平面陶瓷基板和三维陶瓷基板两大类。再根据实现陶瓷基板覆铜后再刻蚀的不同工艺，当前较普遍的陶瓷散热基板分为 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工艺因可靠性更优，逐渐成为主流应用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工艺，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工艺，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工艺

2023-03-08 http://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行业动态]导热绝缘材料在碳化硅模块封装中的应用

随着电力电子器件向高温、高电压、高频率和大电流方向快速发展。器件封装的拓扑结构设计也逐渐朝着微型化及高功率密度方向演变。图1为三菱SiC电力电子器件双面封装拓扑结构，其中与电力电子器件相匹配的封装材料，无论是起支撑作用的电路板（金属绝缘基板）、起电气连接作用的互联材料（烧结银焊接）、起绝缘和环境保护作用的包封材料（环氧灌封料）还是起散热作用的界面热导材料，都对电力电子器件的电气性能、抗电磁干扰特性、热特性、器件的效率及可靠性等影响显著，是电力电子器件领域除芯片本身之外的另一核心部分。典型的IGBT电力电子模块的封装结构如图2所示，其中需要具备绝缘功能的材料主要包括：电气隔离和支撑芯片用的电路板材料、隔绝空气和保护芯片用的绝缘灌封材料、外壳材料以及填充热沉和散热底板间隙用的界面热导材料。本文基于当前Si基和下一代

2023-03-03 http://www.jinruixinpcb.com/Article/daorejueyuancailiaoz.html
[行业动态]高导热率氮化硅散热陶瓷基板材料的研究进展

摘要：针对越来越明显的大功率电子元器件的散热问题，主要综述了目前氮化硅陶瓷作为散热基板材料的研究进展。对影响氮化硅陶瓷热导率的因素、制备高热导率氮化硅陶瓷的方法、烧结助剂的选择、以及氮化硅陶瓷机械性能和介电性能等方面的最新研究进展作了详细论述，最后总结了高热导率氮化硅作为散热基板材料的发展趋势。引言随着我国高铁、航天、军工等领域的快速发展，未来对大功率电力电子器件的需求也将越来越大。为了适应更加复杂、苛刻的应用条件，大功率电力电子器件朝着高温、高频、低功耗以及智能化、模块化、系统化方向发展，这对整个电子器件的散热提出了严峻的挑战，而功率器件中基板的作用是吸收，芯片产生的热量，并传到热沉上，实现与外界的热交换，所以制备高热导率基板材料成为研发大功率模块电子产品的关键所在。例如目前大功率 LED 的发光效率仅有

2022-12-09 http://www.jinruixinpcb.com/Article/gaodaorelvdanhuaguis.html
[常见问题]氮化硅AMB陶瓷基板的制备流程

氮化硅AMB陶瓷基板的制备流程氮化硅陶瓷基板能量损耗、更容易小型化、更耐高温高压的优势在新能源汽车方面备受欢迎，能起到提速、增加续航里程、汽车轻量化的目的；同时氮化硅AMB陶瓷基板还是SiC器件封装基板的首选，传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求，DBC基板和氮化硅器件，在高温过程中容易产生热应力，导致铜层剥离，采用氮化硅AMB陶瓷基板能够小避免。本文要阐述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特点以及制备流程。一，氮化硅AMB陶瓷基板的特点Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶瓷板上。通过活性金属钎焊（AMB

2022-10-19 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
[行业动态]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被广泛使用的直接覆铜(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通过共晶键合法制备而成，铜和陶瓷之间没有粘结材料，在高温服役过程中，往往会因为铜和陶瓷(Al2O3或AlN)之间的热膨胀系数不同而产生较大的热应力，从而导致铜层从陶瓷表面剥离，因此传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶

2022-09-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行业动态]氮化硅陶瓷基板为何会成为第三代半导体器件的优质封装材料

氮化硅陶瓷基板为何会成为第三代半导体器件的优质封装材料随着国家对半导体行业的大力支持，以及第三代半导体科技行业的快速发展，氮化硅陶瓷覆铜基板成为第三代半导体器优质的封装材料。今天小编就来分享一下，氮化硅陶瓷基板哪些优势能被第三代半导体选择和应用。一，氮化硅陶瓷基板有着与其他陶瓷基板独特的优势陶瓷基板材料凭借其极好的耐高温、耐腐蚀、热导率高、机械强度高、热膨胀系数与芯片相匹配及不易劣化等特性成为大功率、高密度、高温及高频器件封装的首选。目前应用于陶瓷基板的陶瓷材料主要有：氧化铍（BeO）、氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）和碳化硅（SiC）等。近年来，电子电力器件朝大功率、高频化、高密度、集成化等方向发展，对器件中陶瓷散热基板提出了更高要求。与AlN和Al2O3陶瓷基板材料相比，Si

2022-08-24 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanwei.html
[行业动态]分析氮化硅陶瓷基板被应用到新能源汽车的缘由

分析氮化硅陶瓷基板被应用到新能源汽车的缘由新能源汽车对陶瓷散热基板有更高的要求目前，对保护环境和节约能源的呼声高涨，使得国内的新能源电动汽车倍受关注。大功率封装器件在调控汽车速度和储存-转换交流和直流上发挥着决定性作用。而高频率的热循环对电子封装的散热提出了严格的要求，同时工作环境的复杂性和多元性需要封装材料具有较好的抗热震性和高强度来起到支撑作用。此外，随着以高电压、大电流和高频化为主要特征的现代电力电子技术的高速发展，应用于该技术的功率模块散热效率更成为了关键。电子封装系统中的陶瓷基板材料是高效散热的关键，同时为了应对工作环境的复杂化也应具有高强度和高可靠性。各大主流陶瓷基板材料分析-氮化硅陶瓷基板是新能源汽车基板首选：近年来已经大规模生产、应用较为广泛的陶瓷基板主要有：Al2O3

2022-05-04 http://www.jinruixinpcb.com/Article/fenxidanhuaguitaocijb.html
[常见问题]不同陶瓷基板材料表面金属化处理怎么做

不同陶瓷基板材料表面金属化处理怎么做陶瓷和金属是最古老的两类有用材料，陶瓷材料具有耐高温、高强度、高硬度、耐磨损、耐腐蚀、电绝缘强度高等特性，而金属材料具有优良的延展性、导电性、导热性，它们各自的广泛用途在这里就不多赘述了。那么，将陶瓷材料与金属材料结合起来，能不能在性能上形成优势互补，从而延伸、拓展各自的研究领域呢？陶瓷与金属的连接件在新能源汽车、电子电气、半导体封装和IGBT模块等领域有着广泛的应用，因此，具有高强度、高气密性的陶瓷与金属的封接工艺至关重要。两者的封接工艺中最大的难点是陶瓷和金属的热膨胀系数相差较大，金属对陶瓷表面的润湿效果比较差，两者无法实现高质量的直接连接，故而首先需要在陶瓷上烧结或沉积一层金属薄膜，这一过程为陶瓷的金属化。

2022-03-30 http://www.jinruixinpcb.com/Article/butongtaocijibancail.html
[常见问题]Si3N4陶瓷断裂韧性受哪些因素影响

Si3N4陶瓷断裂韧性受哪些因素影响Si3N4陶瓷作为一种重要的结构陶瓷材料，具备优异的力学和抗热震性能(在空气中加热至1000℃以上，再急剧骤冷急剧加热也不会碎裂)。由于Si3N4具备优异的综合性能，已被广泛应用于冶金、宇航、能源、机械、军事技术、光学和玻璃工业等领域。Si3N4是强共价键化合物，具有高的原子结合强度，表现出优异的综合性能。此外，由于共价键具有方向性和饱和性，由共价键组成的Si3N4陶瓷滑移系很少，通常在产生滑移前就发生断裂，导致Si3N4陶瓷表现出明显的脆性特点。Si3N4陶瓷的断裂韧性低，对材料内部的局部裂纹非常敏感，已成为Si3N4陶瓷的致命缺点，严重影响了其使用寿命和可靠性，极大限制了其应用范围。那么影响Si3N4陶瓷断裂韧性的因素有哪些呢？原料粉

2022-03-25 http://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4taociduanlieren.html