近年来，随着新能源行业的迅猛发展，半导体功率模块得到了广泛的应用。功率模块一般应用在大功率大电压环境中，相较于通常的电子应用领域，其对载板的电流载流能力、绝缘耐压能力、以及高效散热能力有着更高的要求。而覆铜陶瓷基板的高载流、高耐压、高散热的特点，恰好满足了功率模块的应用需求。

覆铜陶瓷基板按工艺分可以一般可分为DBC(Direct bonded copper直接覆铜陶瓷基板)、DPC(Direct plated copper，直接电镀陶瓷基板)、AMB(Active metal brazing，活性金属钎焊陶瓷基板)等。其中DBC和AMB覆铜陶瓷基板在半导体功率模块中被大量应用。

DBC陶瓷基板?  

DBC陶瓷基板一般是在Al2O3陶瓷上直接覆铜。首先需要将铜箔(Cu)做氧化处理，然后将Al2O3陶瓷片和处理后的铜箔压合，铜箔在1065°C形成CuO共晶相，进而与Al2O3陶瓷片发生反应生成CuAO2或Cu(AO2)2，实现铜箔与陶瓷间共晶键合。如果是AlN陶瓷，则需要预先在AlN陶瓷表面做氧化处理，生成Al2O3，再进行覆铜。

其工艺流程如下图所示。