DPC陶瓷基板具有导热/耐热性好、图形精度高、可垂直互连等技术优势,广泛应用于功率半导体照明(白光LED)、杀菌消毒(深紫外LED)、激光与光通信(LD&VCSEL)、热电制冷(TEC)等领域。
6)去干膜,刻蚀种子层,最后表面处理(如化学镀银或镍金等)。在DPC陶瓷基板制备过程中,由于电镀电流分布不均匀,导致基板表面电镀铜层厚度不均匀(厚度差可超过100μm),表面研磨是控制电镀铜层厚度,提高铜层厚度均匀性的关键工艺,直接影响陶瓷基板的性能和器件封装质量。由于铜材料延展性好,研磨过程中容易产生塑性变形(出现划痕或铜皮),研磨工艺挑战性极大。对DPC陶瓷基板表面铜层进行研磨,可用的研磨技术主要有4种:砂带研磨是一种常用的金属表面粗磨技术,使用表面含磨料的砂带滚轮,对传送带上的样品进行快速研磨,研磨效率较高。
砂带研磨的研磨速率明显高于数控研磨和陶瓷刷磨,但研磨表面粗糙度较大,厚度均匀度也较差。且铜层边缘出现明显的塑性变形导致的残缺现象。数控研磨主要使用数控磨床,首先在磨床刀头上贴附砂纸,通过刀头快速旋转,研磨吸附在平台上的陶瓷基板。数控研磨工序简单,研磨较为均匀,但砂纸消耗量大,且需要手工更换。
陶瓷刷磨是使用高速旋转的滚轮表面陶瓷/金刚石复合磨料,对传送带上以一定速度运动的陶瓷基板进行磨削。由于滚轴上的压力传感器可以控制研磨压力及橡胶的缓冲作用,陶瓷刷磨可有效控制基板表面铜层厚度及其均匀性。
当对DPC陶瓷基板表面要求较高时,CMP加工时首选研磨技术,如部分光电器件(如激光器LD和VCSEL)对陶瓷基板固晶区质量要求进一步提高(要求表面粗糙度低于0.1μm,厚度极差小于10μm),则必须采用CMP。
由于CMP研磨液中的磨料颗粒粒径较小,研磨效率低,因此CMP仅适用于对表面质量要求较高的精磨处理,且必须结合数控研磨和陶瓷刷磨等前处理工艺进行。