氮化铝陶瓷基板民用军用都“吃香”

氮化铝陶瓷是粉体，经过加工成氮化铝陶瓷基板也叫氮化铝陶瓷基片，再经过加工线路、钻孔、金属化工艺形成具备高导热率、高绝缘性、低介电常数的基板。小到我们手机大到功率器件、交通轨道、航空航天等，无论是民用还是工用或者是军用都需要氮化铝陶瓷基板。

氮化铝陶瓷基板核心是氮化铝粉体，是氮化铝（AlN）晶体，其商业应用的潜力源自于其拥有良好的抗氧化性、抗化学侵蚀性、抗热震性、机械强度、低介电常数、与硅晶相近之热膨胀系数以及高热传导系数等，因此在高功率的电子、光电、机械等应用领域备受瞩目。

一，氮化铝陶瓷(AIN）的核心性能参数：

1，热学性能

 AlN的理论热导率为320W/m·K，实际制备的多晶AlN的热导率一般为100~260W/m·K，室温热导率为Al2O3的10~15倍，接近于BeO（理论热导率为350W/m·K），而在温度高于200℃时，导热性能又好于氧化铍;在25~400℃的范围内，纯AIN的热膨胀系数为4.4×10-6K-1，与硅的热膨胀系数（3.4×10-6K-1）相近。

2，电学性能

纯AIN的室温电阴率大于1014Ω·cm，是一种良好的绝缘材料；介电常数约为8.0（1MHz），与Al2O3相当；介电损耗为10-4（1MHz），绝缘耐压为14KV·mm-1，高的机电耦合系数（0.8%）、压电性和亲负产性。

3，力学性能

室温下，致密的AIN陶瓷的维氏硬度为12GPa，莫氏硬度7~8，杨氏模量为308GPa，抗弯强度可达350MPa，强度随温度的上升而下降比较缓慢，1300℃高温强度比室温强度约降低20%，而热压Si3N4、Al2O3一般要降低50%。

4，化学性能

AIN具有优良的高温抗腐蚀能力，不被铝、铜、银、铅、镍等多种金属浸润，也能在某些融盐中如砷化镓的融盐中稳定存在；AIN具有强烈的吸湿性，极易与空气中的水蒸气反应;在空气中，AIN的初始氧化温度为700~800℃。常压下，AIN不会融化，而是在2260-2500℃时发生热分解。

5，其他性能

蓝光和紫外光范围具有透光性、良好的抗电磁辐射以及电子和离子轰击能力、在所报道的相关材料中具有最高的表面声波传播速度等性能。

二，氮化铝陶瓷（AIN）的应用

氮化铝陶瓷性能优越，随着5G时代、新能源汽车时代以及人工智能时代的发展，在民用和军用领域也得到了广泛应用；

      核心民用领域和核心军用领域

在民用领域，氮化铝已经在集成电路、汽车、高铁、电力、半导体等领域得到了广泛应用，典型的如集成电路基板、IGBT控制模块、晶圆加工用静电吸盘、高功率LED散热器等。同时它也适用于制作耐热材料、薄膜材料、复合材料等。在军用领域，氮化铝已经在航空航天、国防武器、微波雷达等方面得到应用，典型的如船舶导航系统、导弹定位系统、地面雷达系统等等。

氮化铝陶瓷基板性能优越，良好的导热率、绝缘性、机械性、低介电常数等，成为民用和军用领域的“香饽饽”，金瑞欣特种电路从事PCB十多年，陶瓷基电路板加工三年多经验，主营氧化铝陶瓷基、氮化铝陶瓷基、氮化硅陶瓷基以及透明陶瓷基电路板加工，国内外知名企业以及国内高校和研发机构的合作伙伴，欢迎咨询。