碳化硅覆铜陶瓷基板的制作工艺

碳化硅覆铜陶瓷基板在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域广泛应用，那么碳化硅覆铜陶瓷基板采用什么工艺制作的呢？

碳化硅陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板覆铜方法类似，可以采用DPC电镀铜工艺以及DBC烧结铜两种金属化工艺。具体采用什么工艺，一个是要考虑铜层厚度，以及性能要求，布线和孔的密度等综合考虑。

一，碳化硅陶瓷基板dpc镀铜工艺

   碳化硅陶瓷基板采用高温dpc电镀烧结铜工艺，铜层一般较薄在100um以内，也比较适合做精密化线路以及多孔，密集孔等，比较适合做高精密产品。制作成本较高，一般都是以打样和小批量为主。

二，碳化硅陶瓷基板dbc直接覆铜工艺

DBC直接覆铜板工艺，一般铜层较厚，铜层100um以上，通过高位烧结将铜敷在碳化硅陶瓷基板的表面，形成具有高电气性能的陶瓷覆铜载板。此工艺制作相对简单，费用也相对便宜，可以实现的大批量生产制作。

在半导体、新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网中采用碳化硅陶瓷覆铜基板具有导热性好、绝缘性高、气密性好、耐高温、耐高压、耐磨损、机械性能好等综合特性，虽然板材成本较贵，但是可以时间更好的产品性能和应用优势。更多碳化硅覆铜陶瓷基板相关问题可以咨询金瑞欣特种电路。