碳化硅陶瓷基板（SiC）对新能源汽车能带来哪些有利影响

        在近两年技术产品发布上，“SiC（碳化硅陶瓷基板）”成为了所有零部件供应商和主机厂经常提起的明星产品。

汽车动力系统在发生三大变化，动力来源从内燃机演变为电动机，功率半导体材料从硅转向碳化硅，电压平台从400V升级到800V。

相比硅基IGBT，SiC器件体积更小、功率密度高、耐压强，应用在800V平台中能够产生更高的系统优势，可以达到充电快和续航里程远的综合效益。

在碳化硅陶瓷基板（SiC）方面，第一个吃螃蟹的人是特斯拉。

2018年，Model 3 为第一款采用全 SiC 功率模块电机控制器的纯电动汽车，开创碳化硅陶瓷基板应用的先河。基于 IGBT 的诸多优势，在 Model 3 问世之前，市面上的新能源车均采用 IGBT 方案。

而 Model 3 利用 SiC 模块替换 IGBT 模块，这一里程碑式的创新大大加速了 SiC 等宽禁带半导体在汽车领域的推广与应用。

在相同功率等级下，SiC模块的封装尺寸明显小于硅模块，并且开关损耗降低了75%。换算下来，采用SiC模块替代硅基IGBT模块，系统效率可以提高5%左右。

碳化硅模块的内置芯片就是碳化硅陶瓷覆铜板，不仅能起到很好的支撑作用，与此同时，碳化硅陶瓷覆铜板主要的核心优势是耐高温、耐高压、耐磨损、低损耗、高频率工作。因此用于高散热、高导热、大电流、大电压、需要高频率运作的产品非常合适适合汽车电力控制系统器件产品。更多碳化硅陶瓷基板相关可以咨询金瑞欣特种电路。