随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

HTCC基板制备过程中先将陶瓷粉(Al₂O₃或AlN)加入有机黏结剂，混合均匀后成为膏状陶瓷浆料，接着利用刮刀将陶瓷浆料刮成片状，再通过干燥工艺使片状浆料形成生胚;然后根据线路层设计钻导通孔，采用丝网印刷金属浆料进行布线和填孔，最后将各生胚层叠加，置于高温炉(1600℃)中烧结而成。目前已应用于高频无线通信领域、航空航天、存储器、驱动器、滤波器、传感器以及汽车电子等领域。

根据Market Watch的统计数据，2021年全球HTCC陶瓷基板市场规模约为22.12亿美元，预计2028年达到38.75亿美元，年复合增长率为8.3%左右。HTCC陶瓷基板行业市场集中度比较高，前三大厂商日本京瓷，日本丸和与日本特陶占据80%的全球HTCC陶瓷市场份额，行业内主要竞争者数量少，属于寡头竞争。

LTCC基板（低温共烧陶瓷）

为了降低HTCC制备工艺温度，同时提高线路层导电性，业界开发了LTCC基板。与HTCC制备工艺类似，只是LTCC制备在陶瓷浆料中加入了一定量玻璃粉来降低烧结温度，同时使用导电性良好的Cu、Ag和Au等制备金属浆料。LTCC基板制备温度低，但生产效率高，可适应高温、高湿及大电流应用要求，在军工及航天电子器件中得到广泛应用。

根据Market Watch发布的报告，2022年LTCC陶瓷基板的市场规模预计可达12.949亿美元，预计2028年市场规模将达到18.682亿美元，年复合增长率为6.3%。全球LTCC陶瓷基板的主要供应商包括村田制作所，日本京瓷，TDK株式会社等。

DPC基板（直接电镀陶瓷基板）

其制作首先将陶瓷基片进行前处理清洗，利用真空溅射方式在基片表面沉积Ti/Cu层作为种子层，接着以光刻、显影、刻蚀工艺完成线路制作，最后再以电镀/化学镀方式增加线路厚度，待光刻胶去除后完成基板制作。

根据HNY research发布数据，2021年全球DPC陶瓷基板市场规模大约为21亿美元，预计2027年将达到28.2亿美元，2022-2027期间年复合增长率(CAGR)为5.07%。全球主要的DPC陶瓷基板供应商包括日本京瓷、日本丸和、台湾同欣电子等。

DBC基板（直接键合铜陶瓷基板）

该基板由陶瓷基片(Al2O3或AlN)与铜箔在高温下(1065℃)共晶烧结而成，最后根据布线要求，以刻蚀方式形成线路。DBC具有导热性好、绝缘性强、可靠性高等优点，已广泛应用于IGBT、LD和CPV封装。

QY Research调研显示，2021年全球DBC陶瓷基板市场规模大约为3亿美元，预计2028年将达到5.5亿美元，2022-2028期间年复合增长率(CAGR)为9.0%。主要DBC陶瓷基板厂商包括美国Rogers、韩国KCC、日本Ferrotec旗下的江苏富乐华半导体科技股份有限公司等。

AMB基板（活性金属焊接陶瓷基板）

AMB陶瓷基板是DBC工艺的进一步发展，该工艺通过含有少量稀土元素的焊料来实现陶瓷基板与铜箔的连接，其键合强度高、可靠性好。该工艺相较于DBC工艺键合温度低、易操作

根据QY Research报告，2021年AMB陶瓷基板市场规模约为0.9亿美元，预计2028年增长到3.8亿美元，复合增长率高达22.7%。主要供应商包括美国Rogers、德国Heraeus、日本电化株式会社(Denka)、日本同和(DOWA)。

材料方面，氮化铝，氮化硅将会起飞

目前陶瓷基板的主要材料以氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）和氮化硅（Si3N4）三类为主。氧化铝陶瓷基板价格低廉(约为氮化铝的1/10)，生产工艺成熟，目前产量最大，应用面最广。但是，氧化铝陶瓷基板的导热性能已无法满足大功率芯片的散热要求。