IGBT 是电力电子变换中的核心元器件，以低电压控制大功率电路的断开与导通，广泛应用于轨道交通、新能源汽车、军工航天、工业机器等领域。随着我国高铁、航空航天、混合动力汽车的飞速发展， IGBT 模块需要更高的可靠性、更快的开关转换速度、更低的能量损耗等，因此，需要高可靠性的封装技术使芯片的优势能够完全发挥出来。其中，IGBT 封装用散热基板在封装时起着机械互连和电气导通的作用，是高可靠性封装中至关重要的环节。

IGBT 封装对基板材料的要求如下：热导率高、介电常数低、与芯片材料的热膨胀系数相匹配、力学强度优良、加工性能好、成本低、耐热冲击和冷热循环等。

一、IGBT 模块封装用陶瓷材料种类

市面上常见的作为 IGBT 封装用的基板材料有 AlN、Al2O3、Si3N4等，其具体物理参数如下表所示。还有在这些陶瓷成分的基础上做的一些改性，使其既具有优良的导热性能，又有较高的机械强度，如氧化锆增韧氧化铝陶瓷（ZTA）。陶瓷材料的选择，需要从陶瓷的热导率、热膨胀系数、电绝缘性能、机械强度、成本等进行综合考虑。

二、IGBT 模块陶瓷衬板金属化技术

AMB 和 DBC、DBA 有着各自的优缺点，DBC 基板成本低，但是可靠性差，不适合在苛刻环境下使用的 IGBT 模块；而 AMB 得到的基板虽然成本提升，但可靠性高，更适合于高温、高功率密度下使用的 IGBT 模块，例如在航空航天、轨道交通、新能源汽车等领域中使用。DBA 与 DBC 在很多方面类似，但是相比于 DBC，DBA 具有显著的抗热震性能和热稳定性能，且重量轻、热应力小，对提高在极端温度下工作器件的稳定性十分明显，因此特别适合用于功率电子电路。