从基材性能告诉你氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺有什么不同

氮化铝陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板都同属于陶瓷基板，他们的制作工艺大致是一样的，都有都才可以采用薄膜工艺和厚膜工艺，DBC工艺、HTCC工艺和LTCC工艺，那么不同的什么呢？

氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺的不同主要是因为基材的性能和结构决定了， 他们烧结温度的不同。

氮化铝陶瓷基板的结构和性能原理：

1、氮化铝陶瓷 (Aluminium Nitride Ceramic)是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。

2、AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。

3、化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。

4、为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10(-6)/℃。

5、多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热。

6、此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

  氧化铝陶瓷基板的结构和性能：

1、氧化铝陶瓷是一种以氧化铝(Al2O3)为主体的陶瓷材料，用于厚膜集成电路。

2、氧化铝陶瓷有较好的传导性、机械强度和耐高温性。需要注意的是需用超声波进行洗涤。

3、氧化铝陶瓷是一种用途广泛的陶瓷，因为其优越的性能，在现代社会的应用已经越来越广泛，满足于日用和特殊性能的需要。

 对比可知：氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺的最大区别主要是烧结温度的区别。

氮化铝陶瓷基板是氧化铝陶瓷基板5-8倍，能耐2200℃的极的级热，导热可达260W/(m.k)，氧化铝陶瓷基板导热一般在30W/(m.k)左右，好的可以做到50W/(m.k).氮化铝陶瓷陶瓷可以加工更加精密的线路，耐高温，更耐压，制作工艺相对氧化铝陶瓷基板而已烧结的温度把控是不一样的。如果是一个需要用氮化铝陶瓷基板的高精密线路板，用氧化铝陶瓷基板来替代，那肯定会造成基材大量的耗费，制作的难度增加，良品率和低。

以上是小编讲述的氮化铝和氧化铝陶瓷基板工艺不同点的阐述，希望可以解答这个问题。更多陶瓷基板的工艺问题可以咨询金瑞欣特种电路，金瑞欣是专业的陶瓷基板生产厂家，拥有十多年陶瓷基板的行业经验和制作经验。