氮化铝陶瓷基板相对于氧化铝套基板而氧,机械强度和硬度增加,相应的导热率比氧化铝陶瓷基板更高。氮化铝陶瓷基板生产制作难度增加,加工工艺也有所不同。今天小编主要是讲述一下氮化铝陶瓷基板生产制作流程和加工制造工艺。
一,氮化铝陶瓷基板生产制作流程
1,氮化铝陶瓷基板生产制作过程
氮化铝陶瓷基板生产制作流程,大致和陶瓷基板的制作流程接近,需要做烧结工艺,厚膜工艺,薄膜工艺因此具的制作流程和细节有所不同。氮化铝陶瓷基板制作流程详见文章“陶瓷覆铜板的覆铜工艺和陶瓷电路板厚膜工艺有何区别”
2,氮化铝陶瓷基板研
氮化铝陶瓷电路板的制作流程是非常复杂的,第一步就是氮化铝陶瓷电路板的表面处理,也叫作研磨,其作用是去除其表面的附着物以及平整度的改善。
众所周知,氮化铝陶瓷基板会比氧化铝陶瓷电路板的硬度高很多,遇到比较薄的板厚要求的时候,研磨就是一个非常难得事情了,要保证氮化铝陶瓷电路板不会碎裂,还要达到尺寸精度和表面粗糙度的要求,需要专业的人操作。
不同的研磨方式对氮化铝陶瓷电路板的平整度、生产率、成品率的影响都是很大的,而且后续的工序是没办法提高基材的几何形状的精度。所以氮化铝陶瓷电路板的制作选用的都是离散磨料双面研磨,对于生产企业来讲整个工序的成本会提升很多,但是为了使客户得到比较完美的氮化铝陶瓷电路板。
另外研磨液是一种溶于水的研磨剂,能够很好的做到去油污,防锈,清洁和增光效果,所以可以让氮化铝陶瓷电路板超过原本的光泽。然而如今国内市场上的一些氮化铝陶瓷电路板仍旧不够完美,例如产品的流痕问题,是困扰氮化铝陶瓷电路板加工行业的难题。主要还是没有办法达到比较好的成本控制和生产工艺。
3,氮化铝陶瓷基板切割打孔
金瑞欣特种电路采用是激光切割打孔,采用激光切割打孔的优点:
l 采用皮秒或者飞秒激光器,超短脉冲加工无热传导,适于任意有机&无机材料的高速切割与钻孔,小10μm的崩边和热影响区。
l 采用单激光器双光路分光技术,双激光头加工,效率提升一倍。
l CCD视觉预扫描&自动抓靶定位、大加工范围650mm×450mm、XY平台拼接精度≤±3μm。
l 支持多种视觉定位特征,如十字、实心圆、空心圆、L型直角边、影像特征点等。
l 自动清洗、视觉检测分拣、自动上下料。
l 8年激光微细加工系统研发设计技术积淀、性能稳定、无耗材。
二,氮化铝陶瓷基板加工制造工艺
氮化铝陶瓷具有优良的绝缘性、导热性、耐高温性、耐腐蚀性以及与硅的热膨胀系
数相匹配等优点,成为新一代大规模集成电路、半导体模块电路及大功率器件的理想散热和封装材料。成型工艺是陶瓷制备的关键技术,是提高产品性能和降低生产成本的重要环节之一。
1,氮化铝陶瓷的湿法成型工艺
陶瓷的湿法成型近年来成为研究的重点,因为湿法成型具有工艺简单、生产效率高、成本低和可制备复杂形状制品等优点,易于工业化推广。
湿法成型包括流延成型、注浆成型、注射成型和注凝成型等料浆均匀流到或涂到支撑板上,或用刀片均匀的刷到支撑面上,形成浆膜,经干燥形成一定厚度的均匀的素坯膜的一种料浆成型方法。流延成型工艺包括浆料制备、流延成型、干燥及基带脱离等过程。
流延成型工艺流程图
流延成型的工艺特点:
优点:设备不太复杂,工艺稳定,可连续生产,效率高,自动化程度高,坯膜性能均一且易于控制, 适于制造各种超薄形陶瓷器件,氧化铝陶瓷基片等。
2.氮化铝陶瓷基板的注射成型
陶瓷注射成型技术(CIM)是一种制造复杂形状陶瓷零部件的新兴技术,在制备复杂小部件方面有着其不可比拟的独特优势。随着近年来全球范围内电子陶瓷产业化规模的不断扩大,CIM 技术诱人的应用前景更值得期待。该工艺主要包括喂料制备、注射成型、脱脂和烧结。
注射成型工艺流程图
注射成型的工艺特点:
(1)可近净尺寸成型各种复杂形状,很少(或无需)进行机械加工;
(2)成型产品生坯密度均匀,且表面光洁度及强度高;
(3)成型产品烧结体性能优异且一致性好;
(4)易于实现机械化和自动化生产,生产效率高。
3.氮化铝陶瓷的注凝成型
该工艺的基本原理是在黏度低、固相含量高的料浆中加入有机单体,在催化剂和引发剂的作用下,使料浆中的有机单体交联聚合形成三维网状结构,使料浆原位固化成型,然后再进行脱模、干燥、去除有机物、烧结,即可得到所需的陶瓷零件。
注凝成型工艺流程图
注凝成型的工艺特点:
坯体强度高、坯体整体均匀性好、可做近净尺寸成型、适于制备复杂形状陶瓷部件和工业化推广、无排胶困难、成本低等。更多加工工艺详见“陶瓷基板pcb板加工工艺有几种?”
市场目前主要的是流延成型和注射成型工艺,在制作氮化铝陶瓷方面具有一定优势,随着科学技术的发展以及人们对环境污染的重视,凝胶流延成型和注凝成型必然会取代上述两种方法,成为氮化铝陶瓷的主要生产方法,从而促进氮化铝陶瓷基板的推广与应用。更多氮化铝陶瓷基板制作和工艺问题可以咨询金瑞欣特种电路。金瑞欣十多年行业经验,是值得信赖的陶瓷基板生产厂家。