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氮化铝陶瓷基板民用军用都“吃香”

88 2021-10-08
氮化铝陶瓷基板

                                                   氮化铝陶瓷基板民用军用都“吃香”

氮化铝陶瓷是粉体,经过加工成氮化铝陶瓷基板也叫氮化铝陶瓷基片,再经过加工线路、钻孔、金属化工艺形成具备高导热率、高绝缘性、低介电常数的基板。小到我们手机大到功率器件、交通轨道、航空航天等,无论是民用还是工用或者是军用都需要氮化铝陶瓷基板。

氮化铝陶瓷基板核心是氮化铝粉体,是氮化铝(AlN)晶体,其商业应用的潜力源自于其拥有良好的抗氧化性、抗化学侵蚀性、抗热震性、机械强度、低介电常数、与硅晶相近之热膨胀系数以及高热传导系数等,因此在高功率的电子、光电、机械等应用领域备受瞩目。

DBC氮化铝陶瓷基板

一,氮化铝陶瓷(AIN)的核心性能参数:

1,热学性能

 AlN的理论热导率为320W/m·K,实际制备的多晶AlN的热导率一般为100~260W/m·K,室温热导率为Al2O3的10~15倍,接近于BeO(理论热导率为350W/m·K),而在温度高于200℃时,导热性能又好于氧化铍;在25~400℃的范围内,纯AIN的热膨胀系数为4.4×10-6K-1,与硅的热膨胀系数(3.4×10-6K-1)相近。

2,电学性能

AIN的室温电阴率大于1014Ω·cm,是一种良好的绝缘材料;介电常数约为8.0(1MHz),与Al2O3相当;介电损耗为10-4(1MHz),绝缘耐压为14KV·mm-1,高的机电耦合系数(0.8%)、压电性和亲负产性。

3,力学性能

室温下,致密的AIN陶瓷的维氏硬度为12GPa,莫氏硬度7~8,杨氏模量为308GPa,抗弯强度可达350MPa,强度随温度的上升而下降比较缓慢,1300℃高温强度比室温强度约降低20%,而热压Si3N4、Al2O3一般要降低50%。

4,化学性能

AIN具有优良的高温抗腐蚀能力,不被铝、铜、银、铅、镍等多种金属浸润,也能在某些融盐中如砷化镓的融盐中稳定存在;AIN具有强烈的吸湿性,极易与空气中的水蒸气反应;在空气中,AIN的初始氧化温度为700~800℃。常压下,AIN不会融化,而是在2260-2500℃时发生热分解。

5,其他性能

蓝光和紫外光范围具有透光性、良好的抗电磁辐射以及电子和离子轰击能力、在所报道的相关材料中具有最高的表面声波传播速度等性能。

通讯高频陶瓷基板

二,氮化铝陶瓷(AIN)的应用

氮化铝陶瓷性能优越,随着5G时代、新能源汽车时代以及人工智能时代的发展,在民用和军用领域也得到了广泛应用;

      核心民用领域和核心军用领域

在民用领域,氮化铝已经在集成电路、汽车、高铁、电力、半导体等领域得到了广泛应用,典型的如集成电路基板、IGBT控制模块、晶圆加工用静电吸盘、高功率LED散热器等。同时它也适用于制作耐热材料、薄膜材料、复合材料等。在军用领域,氮化铝已经在航空航天、国防武器、微波雷达等方面得到应用,典型的如船舶导航系统、导弹定位系统、地面雷达系统等等。

氮化铝陶瓷基板性能优越,良好的导热率、绝缘性、机械性、低介电常数等,成为民用和军用领域的“香饽饽”,金瑞欣特种电路从事PCB十多年,陶瓷基电路板加工三年多经验,主营氧化铝陶瓷基、氮化铝陶瓷基、氮化硅陶瓷基以及透明陶瓷基电路板加工,国内外知名企业以及国内高校和研发机构的合作伙伴,欢迎咨询。

 


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