碳化硅陶瓷基板生产工艺

碳化硅陶瓷基板在第三代半导体领域备受关注，主要是因为碳化硅陶瓷基板耐高压、耐高温、低损耗、高导热、高频率工，能承载高导热、大电压、大电流需要高频率运作的产品领域，比如IGBT底板等高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域也应用广泛。那么碳化硅陶瓷基板加工生产工艺都有哪些呢？

一，dpc加工制作工艺

   碳化硅陶瓷基板做金属化后，可以承载高电流、高电压，具备更好的电气性能，如果需要有较小线宽线距和较小孔径的话，有一定精密度要求的话，可以采用DPC工艺制作，精密度较高。DPC工艺是电镀铜工艺，金属结合力较好。

二，amb制作工艺

    碳化硅陶瓷基板如选择采用AMB制作工艺，那么热循环性能更好，结合力更高，比较适合用于高端产品，载流能力较强，使用寿命长。

三，DBC制作工艺

dbc制作工艺，对于一般的碳化硅陶瓷基板载板，简单做覆铜，没有孔，也没有精密线路的，可以采用DBC工艺制作，可以降低成本。

无论碳化硅陶瓷基板选择哪种生产加工工艺，需要考虑自身产品的性能，成本。具体采用什么工艺，一个是要考虑铜层厚度，以及性能要求，布线和孔的密度等综合考虑。

碳化硅陶瓷基板和氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板覆铜方法类似，可以采用DPC电镀铜工艺以及DBC烧结结、AMB几种金属化工艺。更多碳化硅陶瓷基板可以咨询金瑞欣特种电路。