氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比差异

                                                               氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比差异

 氮化硅基板、氮化铝基板、氧化铝基板都是陶瓷基板，在散热性、绝缘性、导热性都很不错，在各大需要散热、绝缘、高频等领域产品发挥了非常重要的左右，尤其是对汽车电子、消费电子、电力、通讯、交通轨道、医疗、半导体、LED等领域作用非常大，那么氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比有什么差异呢？

 一，首先是氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板材料和性能不同

       可以看出氮化铝基板导热性最突出；氮化硅陶瓷基板高强度要更高，更耐压；氧化铝陶瓷基板介电常数最高，氮化硅基板介电损耗最低，热膨胀系数氮化硅基最低。

 二，氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板市场应用不同

       基于氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板特性不同，应用领域有所不同，氮化铝基板导热性非常高比较适应与高导热、高绝缘性和大电流产品领域，比如高功率导热器件、led大功率模组、激光领域，电源产品等等；氮化硅基板一方面高强度、导热良好、热膨胀系数与硅接近，耐压性强，被应用到IGBT载板、电力、第三代半导体、汽车逆变器，减速器等电子等产品领域；氧化铝陶瓷基板导热性和绝缘性也都比较好，性价比最高，在传感器、制冷片、导流片、LED照明等散热和导热有要求的产品领域，可以有效的弥补过去铝基板和铜基板的不足，同时节省成本。

  三，氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板制作工艺略有不同

 材料不同，性能不同了，制作工艺有所不同。氧化铝、氮化铝、都可以采用DPC、DBC制作工艺，但是采用AMB工艺适用氮化硅、氮化铝、增韧氧化铝陶瓷基板；LTCC和HTCC工艺多采用氮化铝陶瓷基板来做，是因为氮化铝陶瓷基板耐性和导热性突出，经过LTCC工艺后适用于高频通讯产品，氮化铝陶瓷基板经过HTCC高温烧结工艺导热性更强。

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