高质量深紫外LED封装陶瓷基板的结构和封装方法

                                          高质量深紫外LED封装陶瓷基板的结构和封装方法

深紫外LED封装陶瓷基板出光率高，量子质量好，工作温度低，提供的深紫外LED大功率光功率密度,也极大改善了器件的可靠性.小编将简述深紫外LED封装陶瓷基板的结构和封装方法。

深紫外LED的封装支架和封装结构

一种深紫外LED的封装支架和封装结构.深紫外LED的封装结构包括深紫外LED芯片,玻璃盖板和封装支架,封装支架包括陶瓷基板和围坝,陶瓷基板包括陶瓷板和布置在陶瓷板表面的金属化图形层,围坝固定在陶瓷基板的顶面上;围坝的内壁为金属内壁,金属内壁包括反光杯;围坝通过粘接层或焊接层固定在陶瓷基板的顶面上,当围坝通过粘接层固定在陶瓷基板的顶面时,围坝的金属内壁遮盖粘接层的内周.深紫外LED芯片贴装于陶瓷板顶面的金属化图形层的线路上,玻璃盖板焊接在围坝的顶部.实用新型能有效地把芯片发出的紫外光导出封装体外,不仅封装结构的出光率高,而且芯片的工作温度较低.

基于高质量AlN模板的深紫外LED

随着基于InGaN材料的蓝光LED的技术日趋成熟并广泛应用,越来越多的研究者逐渐将研究兴趣转移到波长更短的氮化物LED——基于AlGaN材料的紫外乃至深紫外LED.紫外LED在生化探测,杀菌消毒,聚合物固化,无线通讯及白光照明等领域都有重大应用价值,据估计其潜在市场价值高达数十亿美元.但是,从发光功率和效率而言,目前的UV-LED还远不能令人们满意.目前实验室报导的InGaN基蓝光LED的量子效率最好结果已经超过70%,相比之下, AlGaN基紫外LED的量子效率要低的多,尤其是波长在UV-B(290-320nm),UV-C(200-290nm)波段的深紫外LED,量子效率一般不超过2%.造成这一问题的一个重要原因在于难于外延生长高质量的AlGaN材料,Al组分越高,外延生长困难越大,晶体质量越低.通过典型的两步法生长的AlGaN外延薄膜中的位错密度普遍在1010/cm-2乃至更高.低的晶体质量同时增加了AlGaN的掺杂困难,进一步导致量子效率低下.针对这一问题,以高温AlN模板为基础,外延生长获得了高质量的AlGaN材料,并在此基础上制作了深紫外LED.

一种高可靠性大功率紫外LED集成封装方法

高可靠性大功率紫外LED集成封装方法,首先将高导热陶瓷基板作为支撑板,并在高导热陶瓷基板两端固定安装有金属围坝;然后将大尺寸硅板固定安装在高导热陶瓷基板上,紫外LED芯片固定安装在大尺寸硅板上;通过金线将紫外LED芯片与金属电极和大尺寸硅板电性连接;最后在金属围坝上固定玻璃盖板,完成结构封装.本发明通过采用高导热陶瓷基板结合大尺寸硅板和玻璃盖板,通过金线将紫外LED芯片分别与金属电极和大尺寸硅板进行电气连接,实现了适用于垂直,水平,倒装结构紫外LED芯片的大功率集成全无机封装结构,这不仅提高了光功率密度,也极大改善了器件的可靠性.

更多相关问题可以咨询金瑞欣特种电路，金瑞欣定制的深紫外LED陶瓷基板，采用的是高导热氮化铝陶瓷基板来加工制作的，还可以制作围坝工艺，收到客户好评。