IGBT的应用领域很广,如工业领域中的变频器,轨道交通领域的高铁、地铁、轻轨,新能源领域的新能源汽车、风力发电等。根据工作环境的电压不同,IGBT可以分为低压(600V以下)、中压(600V-1200V)、高压(1700V-6500V), 各电压等级IGBT应用领域各不相同,例如高压高电流密度 IGBT 应用于轨道交通与电网,中低压IGBT应用于新能源电动汽车(EV)。
下面我们一起来看看工业、EV、轨道交通这三个领域使用IGBT模块的材料选择及封装工艺有何不同,供大家参考。
1.材料选择对比
陶瓷衬板方面,工业IGBT可以采用一般的DBC 氧化铝陶瓷衬板,电动汽车上要求会比较高,采用ZTA(氧化锆掺杂氧化铝)或者氮化铝 DBC陶瓷衬板,应用在轨道交通上的IGBT要求更高,需要可靠性更高、综合性能优越的的AMB 氮化硅陶瓷衬板。在散热基板的选材方面,工业IGBT一般采用铜底板或者铜底板+导热界面材料(TIM),电动企业采用散热效果更好的铜针鳍散热器,轨道交通的底板则采用铝碳化硅针鳍散热器。
铜具有良好的导热能力,可现快速散热,且价格便宜,但铜的热膨胀系数接近IGBT芯片的三倍,如果长期在震动环境下使用,其可靠性会大幅下降。而 AlSiC 热导率虽不如铜,但热膨胀系数更接近芯片及陶瓷基板,能够有效改善模块的热循环能力。
2.封装工艺对比
封装工艺方面,工业IGBT采用铝线(Al)键合,电动汽车IGBT采用铝带键合,轨道交通IGBT采用铜线键合。铝线键合工艺成熟、成本较低,但是铝线键合的电气、热力学性能较差,膨胀系数失配大,影响IGBT使用寿命。而铜线键合工艺具有电气、热力学性能优良等优点,可靠性高,适用于高功率密度、高效散热的模块。
此外,还有赛米控(Semikron )SKiN 封装技术采用柔性PCB板取代键合线实现芯片的上下表面电气连接。