HTCC高温共烧陶瓷烧制流程和材料

                                                                         HTCC高温共烧陶瓷烧制流程和材料            

20世纪80年代初商业化的主计算机的电路板多层基板是用氧化铝绝缘材料和导体材料（Mo、W、Mo-Mn）在1600°C的高温下共烧的，也就是高温共烧陶瓷（HTCC）。

高温共烧陶瓷(HTCC)通过在每层生瓷片上打孔、填充金属浆料和印刷，最后叠加在一起形成多层导体互连的基板。其具有机械强度高、热导率高、化学性质稳定及布线密度高等优点。

一，HTCC高温共烧流程

粉体制备---研磨、混料、流延--切片--打孔--填孔--印刷电级-叠层-等静压-切割-排胶-烧结-外电机储备-外电机烧结-外电机电镀-测试。

高温共烧陶瓷(HTCC)通过在每层生瓷片上打孔、填充金属浆料和印刷，最后叠加在一起形成多层导体互连的基板。其具有机械强度高、热导率高、化学性质稳定及布线密度高等优点。

常用的HTCC陶瓷基板体系有质量分数为90%～95%的Al2O3和AlN等，其中Al2O3工艺最为成熟，应用最广；AlN在热性能和电性能方面优于Al2O3，但存在工艺难度大、烧结温度高、材料成本高等问题。由于采用的是Al2O3和AlN材料，HTCC陶瓷基板烧结温度为1400～1500℃，其具有机械强度高、热导率高、化学性质稳定及布线密度高等优点。

二，HTCC共烧技术的材料都有哪些？

HTCC技术的金属化材料一般以熔点高的金属W、Mo和Mn等为主，然而这类金属有导电性较差的缺点，需要在该金属表面镀Ni和Au来降低传输损耗以及起到保护电路的作用。

由于HTCC具有机械强度较高、散热系数较高、材料成本较低、化学性能稳定、布线密度高德等特点，HTCC已被广泛应用于高可靠性微电子集成电路、大功率微组装电路、车载大功率电路等领域。

高温共烧HTCC陶瓷材料：氧化铝、氮化铝、莫来石等，金属材料：钨、钼、锰、钼-锰等。共烧的温度2685℃~1850℃。

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