碳化硅覆铜陶瓷基板的特点、用途和应用

从二十世界50年代开始，碳化硅纳入固体器件的研究开始，碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，开始受到人们的关注和研究。如今碳化硅陶瓷基板在很多领域应用广泛，金小编就来阐述一下碳化硅陶瓷基板的特点、用途和应用。

 一，碳化硅覆铜陶瓷陶瓷基板的物料特性和特点

 碳化硅覆铜陶瓷基板本质是一种硅材料，碳化硅有这优越的导热率，决定了其高电流密度的特点。较高的禁带宽度又决定了碳化硅（SiC）陶瓷线路板的的高击穿场强和高工作温度。具体特性如下：

      1，高阻断电压

与Si材料相比，SiC的击穿场强是Si的十倍多，因此使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。

2，耐600℃高温工作

SiC在物理特性上拥有高度稳定的晶体结构，其能带宽度可达2.2eV至3.3eV，几乎是Si材料的两倍以上。因此，SiC所能承受的温度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件所能达到的最大工作温度可到600 C。

3，高频开关速度

SiC的热导系数几乎是Si材料的2.5倍，饱和电子漂移率是Si的2倍，所以S使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件能在更高的频率下工作。

4，损耗低

一般而言，半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比，故在相似的功率等级下，SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件导通损耗对温度的依存度很小，随温度的变化也很小，这与传统的Si器件也有很大差别。

正是因为些优点，在相同的功率等级下，设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小，同时效率也有大幅度的提升。

  二，碳化硅陶瓷基板的用途和应用

碳化硅陶瓷基板的特点来看，主要的核心优势是耐高温、耐高压、耐磨损、低损耗、高频率工作。因此用于高散热、高导热、大电流、大电压、需要高频率运作的产品方面，有这不可估量的用途。

我国是全球最大的半导体消费国，随着第三代半导体的发展，国内的半导体生产增长迅猛。2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元，同比增长15.77%。2020年H1，中国集成电路产业销售额为3539亿元，同比增长16.1%。碳化硅陶瓷基板的市场需求也不断增长。如今碳化硅陶瓷基板不仅在半导体领域广泛应用，另外碳化硅陶瓷基板在高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域也应用广泛。更多碳化硅陶瓷基板相关问题可以咨询金瑞欣特种电路，金瑞欣做碳化硅陶瓷覆铜板、铜层结合力高，品质可靠。