直接覆铜（DBC）技术的发展进步

                                                        直接覆铜（DBC）技术的发展进步

    直接覆铜（DBC）是一种陶瓷表面的金属化技术，它直接将陶瓷（氧化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、氮化铝等）和基板铜链接。这种技术最早出现在20世纪70年代中期，主要是用于氧化铝特别是氧化铝陶瓷基片的表面金属化。从80年代中期开始，DBC技术逐渐实用化，在电力电子模块、半导体制冷和LED器件等的封装中应用广泛。

     DBC技术常用的几种陶瓷材料表

     氧化铝陶瓷的绝缘性好、化学稳定性好、强度高，而且价格低，是DBC技术的优选材料，但是三氧化二铝的热导率低，并且与SI的热膨胀系数有一定的热失配，氧化铍陶瓷也是一种常见的DBC技术用陶瓷材料，低温导热率很高，制作工艺很完善，可用于中高功率器件，但在某些应用领域和工艺过程中，所产生的毒性应有适当防护；氮化铝陶瓷材料无毒，介电常数适中，热导率远高于氧化铝陶瓷基板，和氧化铍接近，热膨胀系数和SI较接近，各类SI芯片和大功率器件可以直接附着在AIN基板上而不用其他材料的过渡层。目前用于DBC技术中，前景十分看好。

     随着集成电路向高密度、大功率放心以及电子电力、LED高速发展，如何解决散热问题成为普遍关注的热点。为了把芯片的热量散发出去，需将绝缘基片与散热片相连。绝缘基片是具有高导热率的陶瓷基片，散热片是金属。陶瓷与金属链接，在两者之间出现过渡层，产生附加的热阻。将陶瓷与金属连接在一起有很多方法，采用不同的连接方法，过渡层热阻不同，为了满足集成电路散热的需要，希望热阻尽可能小。由此可见，有了高导热陶瓷基片，还不能全部满足散热的需求，还存在陶瓷与金属连接的问题。选择适当的连接方法，可以减少过渡层热阻，既可以提高陶瓷基板的导热率，可以去到很高，也可以很好的将热量散发出去。

    dbc技术不段发展，为了适应功率电子器件的要求。DBC基板机械强度大大增强，为芯片半导体器件的组装提供了一种经济效益十分好的基板材料。目前较为成熟的是DBC氧化铝陶瓷基板和DBC氮化铝陶瓷基板，前者适用于低功率，而后者多是用于高功率器件。DBC的技术应用范围也不断的延伸发展。