amb陶瓷覆铜板与第三代半导体

 第三代半导体的崛起与应用，半导体器件逐渐向大功率、小型化、集成化、多功能等方向发展，对封装性能也提出了更高要求。AMB陶瓷覆铜板吻合了第三代半导体的市场和性能要求。

一，AMB陶瓷覆铜板的优势

      AMB陶瓷覆铜板，是陶瓷基片经过AMB活性钎焊工艺后陶瓷表面形成一种高附着力，结合力的铜层，从而具备导热性强、机械性能好、能承载大电流、大功率、绝缘性好的综合电气性能的陶瓷覆铜板。AMB陶瓷覆铜板目前核心的材料有氮化铝陶瓷基和碳化硅陶瓷基片。

二，第三代半导体市场市场前景

 由于第三代半导体材料领域属于前沿领域，市场前景广阔，但也存在专业壁垒高的特征，对行业内参与者和广大投资者的专业要求也较高，第三代半导体材料领域，碳化硅是新近发展的宽禁带半导体的核心材料。碳化硅半导体器件具有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等特点，具有开关速度快、效率高的优势，可大幅降低产品功耗、提高能量转换效率并减小产品体积。目前，碳化硅半导体主要应用于以5G通信、国防军工、航空航天为代表的射频领域和以新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、充电桩等“新基建”为代表的电力电子领域，具有广阔可观的市场前景。碳化硅陶瓷覆铜板、氮化硅陶瓷覆铜板在半导体领域用处最广泛。更多amb陶瓷覆铜板的相关问题可以咨询金瑞欣特种电路。